16. 如圖 ( 十 ) 所示電路,其中 Q1 與 Q2 的臨界電壓 ( threshold voltage ) 分別為 1 V 與 – 1 V。當Vi=0V時,Q1、Q2的工作狀態為何?(A) Q1
17. 如圖 ( 十一 ) 所示電路,若 MOSFET 的臨界電壓 ( threshold voltage ) VT = 2 V,且其參數K=1mA/V2。欲設計使其工作在VDS=4V,則RD的值應為
23. 關於弦波振盪器之敘述,下列何者錯誤?(A) RC相移振盪器是屬於低頻弦波振盪器(B) 音頻振盪器一般使用考畢子振盪器(Colpitts oscillator)(C) 石英晶體振盪是應用晶體本身
29. 有額定分別為110V/ 100W及110V/ 50W之兩個電熱器,串聯接於110V電源上,則下列敘述何者正確?(A) 110V/ 100W電熱器的消耗功率比110V/50W電熱器大(B) 11
32. 如圖(二十一)所示,其中圖B為圖A之等效電路,則Eth及Rth分別為何?(A) Eth=120V,Rth=12Ω (B) Eth=90V,Rth=12Ω(C) Eth=20V,Rth=2Ω(D