16. 如圖(八)所示之 MOSFET電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage )Vt = 4V，參數K=0.5mA/V2，電路操作於飽和區工作點之 ID =2mA，則此工作
17. 某工作在夾止區的 N 通道 JFET 電晶體，直流工作點之閘源極電壓 VGS = – 2 V，汲極電流ID =3 mA 時，互導 g m = 3 mA / V。若直流閘源極電壓 V GS變動至
18. 如圖(九)所示之增強型MOSFET電晶體電路，其參數K=2mA/V2，直流汲極電流ID=2mA。若汲極交流電阻rd忽略不計，則小信號電壓增益 vo/vi約為何？(A) – 2.22 (B) –
19. 如圖 ( 十 ) 所示之 N 通道 JFET 電晶體電路，其截止電壓 VGS(off ) = – 3 V，直流工作點之VGS=– 1V，汲極電流 ID =8mA。若汲極交流電阻rd忽略不計，則
20. 關於μA741運算放大器內部的輸入級與輸出級之電路結構，下列敘述何者正確？(A) 輸入級為共集極放大器 (B) 輸入級為二極體整流電路(C) 輸出級為射極隨耦器 (D) 輸出級為開集極輸出電路
22. 如圖 ( 十二 ) 所示之理想運算放大器電路，若電阻 R1 = R2 = R3 = R4 = 100 kΩ，RA = 10 kΩ，若欲設計輸出電壓Vo=V1+V2+V3+V4，則RB為何？(A
23. 如圖 ( 十三 ) 所示之理想運算放大器 RC 相移振盪器，若此電路已工作於振盪頻率 1300 Hz且Ri ＞＞R，則下列何者正確？(提示：√6≒2.45)(A) R=500Ω，C=0.01μ
24. 如圖(十四)所示之電路，在正常振盪情況下，Vo之週期約為何？(提示：ln 2≒0.7) (A) 0.7RB1C1 (B) 0.7RC1C2(C) 0.7 (RC1C1+RC2C2)(D) 0.
25. 如圖 ( 十五 ) 所示之施密特 ( Schmitt ) 觸發電路，VCC為電源電壓，OPA 輸出飽和電壓大小為Vsat，Vr為參考電壓，Vi為輸入電壓，則其遲滯( hysteresis)電壓
第二部份：基本電學 ( 第 26 至 50 題，每題 2 分，共 50 分 )26. 某手機的電池容量為 3200 mAh，只考慮手機使用在待機及通話情況下，待機時消耗電力的電流為10mA，通話時消耗
27. 有一部額定輸出為 10 kW 的抽水馬達，每月僅滿載運轉 20 天，滿載運轉效率為 80 %。若每度電費為 4 元，每月因滿載運轉效率問題所造成的損失電費為 1200 元，試求抽水馬達於滿載運
38. 在空氣中之兩平行且直的導線，線長皆為 8 公尺，兩導線相距 2 公分，導線各通以電流 I 1及I2，使得兩導線間的作用力為0.016牛頓，若I1為I2的2倍，則I1及I2分別為多少安培？(A)