18. 將一個五環色碼電阻串接直流安培計,再串接於 12.4 V 之直流電壓源,安培計讀值為20mA,此色碼電阻的色環依序(第一環至第五環)可能為何?(A) 藍紅黑棕棕 (B) 藍灰黑金棕 (C) 藍
20. 如圖(十)所示之暫態電路及電流iL (t)時間響應圖,電流IS =10 A,時間常數 τ 為0.02秒。已知電阻 RS = 2 Ω,且電感在開關 S1閉合前無儲存能量,當時間為零時 ( t =
21. 用示波器量測弦波電壓信號,其測試棒及示波器端之衰減比設定皆為 1: 1,電壓信號波形如圖 ( 十一 ) 所示,若電壓信號的峰值對峰值為 20 V,頻率為 500 Hz,則示波器設定垂直刻度(V
▲閱讀下文,回答第 22-23 題某生購買了一組三相平衡負載設備,已知此三相平衡負載設備為 Δ 接方式,且每相阻抗為 3+j4 歐姆。今將其接至三相平衡電壓源,如圖 ( 十二 )所示之 U、V、W 三
▲閱讀下文,回答第 24-25 題如圖 ( 十三 ) 所示直流電路,IS = 60A,R1 = 6 Ω,R2 = 12 Ω,R3 = 4 Ω,在不同負載電阻情況,計算流經電阻的電流,並設計負載電阻 R
【題組】25. 若設計負載電阻 RL 以獲得 RL 的最大功率消耗,則負載電阻 RL 與其最大功率 Pmax 分別為何?(A) RL=4Ω、Pmax=900W (B) RL=8Ω、Pmax=1800W
26. 如圖(十四)所示之週期性電壓v (t),若Vp=10V、T=5ms、t1=3ms,則 v (t)之工作週期D(duty cycle)與電壓平均值Vav分別為何? (A) D=3ms、Vav=6
27. 有關半導體材料,下列敘述何者正確?(A) 半導體因電位差產生載子移動而形成擴散電流(B) 外質半導體中電洞與自由電子的載子濃度相同(C) P型矽半導體是由本質矽半導體摻雜( doping)三價
28. 如圖 ( 十五 ) 所示電路,稽納二極體 ( Zener diode ) 之崩潰電壓 VZ = 20 V,最大額定功率320 mW,且其逆向最小工作電流(崩潰膝點電流)IZK=2mA。若忽略稽
29. 有關雙極性接面電晶體(BJT)工作於飽和區之敘述,下列何者正確?(A) BJT之集極電流與基極電流成正比(B) BJT之集-射極間,猶如開關的導通(ON)狀態(C) BJT之基-射極接面為順向
31. 如圖(十七)所示電路,VCC =18V,RC =3kΩ,RE =0.82kΩ,RF1=238kΩ,RF2=42kΩ,若BJT之 β=100,且已知基極交流電阻rπ=1 kΩ,則電壓增益vo /
32. 有關BJT與場效電晶體(FET)元件之比較,下列敘述何者正確?(A) BJT為電流控制型,FET為電壓控制型(B) BJT之輸入阻抗較FET高(C) BJT之熱穩定度較FET高(D) BJT與
33. 某N通道空乏型MOSFET,夾止( pinch - off)電壓Vp = – 3V,IDSS = 10mA,於電路中將其偏壓操作於飽和區,且閘-源極間電壓VGS=–1V,則 MOSFET之轉移
34. 如圖(十八)所示電路,MOSFET之臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V,參數K=0.5mA/2,RD =2.2 kΩ,若已知VD =10.6V,則RS為何? (A) 0.
35. 如圖(十九)所示 MOSFET放大電路,RG=1.2MΩ,RD=2.2kΩ,RS=1.2kΩ,RL=10kΩ,汲極交流電阻 r d 忽略不計,若電晶體操作於飽和區,此 MOSFET 於工作點之
36. 如圖(二十)所示 MOSFET疊接放大電路,RS = 300 Ω,RD = 2.7 k Ω,RG1 = RG2 = 3 M Ω,RG3 = 4.7 M Ω。已知 MOSFET 均操作於飽和區且
37. 如圖(二十一)所示 MOSFET邏輯電路,下列敘述何者錯誤? (A) 此電路之功能為反或閘(NOR gate )(B) 若A為低電位,B為高電位,則輸出Y為高電位(C) 若A為高電位,B為低電
39. 如圖(二十三)所示之理想運算放大器電路與波形,若輸入電壓vs為500Hz之對稱三角波,則輸出電壓vo之峰對峰值為何? (A) 16V (B) 12V (C) 8V (D) 4VRVR15V10