【評論主題】37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
【評論內容】
沒注意到可以忽略基極電流,不然可以算更快QQ
【評論主題】36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？ (A) 1
【評論內容】我沒辦法從頭寫完整寫給妳因為量會很多，不然那麼多題每題都要我寫公式推導？麻煩你不懂部分說出來，不然我不懂你不懂部分在哪，還有學習不是只靠別人，自己也要努力。看不懂題目代表你對這整個單元真的都要再加強
【評論主題】11 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 Q1和 Q2的基極內電阻 rπ、射極內電阻 re、轉導 gm、共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β» 1 等參數均相同，試求差動增益 Ad = vod
【評論內容】
說別人怪，不如說出你想法給大家參考。這樣才有意義
【評論主題】7 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示，V CC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF
【評論內容】
為啥VB是5v 而不是5v-IB*0.1=0.7V
【評論主題】39 如圖所示之非穩態電路，輸出 vo的飽和電壓在 ± 10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（thresho
【評論內容】
你那公式遇到定電流充放電公式不就不能用了@@
【評論主題】39 如圖所示之非穩態電路，輸出 vo的飽和電壓在 ± 10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（thresho
【評論內容】
你這樣不就是背公式嘛 題目變化要怎辦@@？
【評論主題】37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
【評論內容】
沒注意到可以忽略基極電流,不然可以算更快QQ
【評論主題】36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？ (A) 1
【評論內容】我沒辦法從頭寫完整寫給妳因為量會很多，不然那麼多題每題都要我寫公式推導？麻煩你不懂部分說出來，不然我不懂你不懂部分在哪，還有學習不是只靠別人，自己也要努力。看不懂題目代表你對這整個單元真的都要再加強
【評論主題】11 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 Q1和 Q2的基極內電阻 rπ、射極內電阻 re、轉導 gm、共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β» 1 等參數均相同，試求差動增益 Ad = vod
【評論內容】
說別人怪，不如說出你想法給大家參考。這樣才有意義
【評論主題】7 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示，V CC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF
【評論內容】
為啥VB是5v 而不是5v-IB*0.1=0.7V
【評論主題】34 圖示差動放大器，若電晶體 Q1與 Q2的特性相同，Q3與 Q4的特性相同，且其轉導（Transconductance）gm皆為 2 mA/V、輸出電阻 ro皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 Ad
【評論內容】
大概知道怎麼算了,突然想起來*使用轉導法求解,不過要花一點時間,要詳解的我在PO
【評論主題】34 圖示差動放大器，若電晶體 Q1與 Q2的特性相同，Q3與 Q4的特性相同，且其轉導（Transconductance）gm皆為 2 mA/V、輸出電阻 ro皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 Ad
【評論內容】
如果不要用等效來看 Vo=vid*2/gm*(ro2//ro4)@@還是10
QQ半年沒算電子學退步太多
【評論主題】34 圖示差動放大器，若電晶體 Q1與 Q2的特性相同，Q3與 Q4的特性相同，且其轉導（Transconductance）gm皆為 2 mA/V、輸出電阻 ro皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 Ad
【評論內容】
把它等效半模型來看,只有單端輸出 不會用到I阿= =直接開路接地了
Vo=1/2Vid*gm(ro2//ro4) 坦白說你的算式我真的看不懂 有沒有其他解法