問題詳情
【題組】 ⑵飽和區（Saturation region）時： I D =
如圖一電路，其 NMOS 電晶體之
= 1 mA / V 2 ，Vt = 1 V ， 試設計此電路（即求 RD 、 RS 的值），使 I D = 2 mA ，VD = 2 V ： V DG ⑴求 RD 之值；（5 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.86901
統計：A(7),B(5),C(73),D(816),E(0)
用户評論
【用戶】jacks.shih已考上
【年級】高二下
【評論內容】104/12/30 已修正刑法第36條，廢除第34條。從刑只剩下一項，就是「禠奪公權」第36條如下：
【用戶】詹姆士
【年級】高二下
【評論內容】舊刑法修改建議 題目：刪除沒收
【用戶】【站僕】摩檸Morning
【年級】小一下
【評論內容】原本題目:189. 沒收與褫奪公權為下列何者？(A)警察罰(B)秩序罰(C)行政罰(D)刑罰的從刑修改成為189. 褫奪公權為下列何者？(A)警察罰(B)秩序罰(C)行政罰(D)刑罰的從刑