問題詳情

36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者？
(A)載子濃度非均勻分布
(B)有外加電場施加於半導體
(C)半導體內存在有電位的變化
(D)半導體溫度的變化

參考答案

答案：A
難度：簡單0.703704
統計：A(38),B(5),C(2),D(2),E(0)

用户評論

【Rascal (106鐵特】評論

原選項(A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體 (C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化 (A)O(B)X應修正為(A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體 (C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化

【【站僕】摩檸Morning】評論

原本題目:36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者？(A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體(C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化(A)O(B)X修改成為36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者？(A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體(C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化