問題詳情

4. N 通道空乏型 DMOS,已知夾止電壓

=-4V,某學生設計偏壓如圖(四),問電晶體工作於哪區域?


(A)歐姆區
(B)夾止區
(C)截止區
(D)崩潰區

參考答案

答案:A

統計:A:0,B:0,C:0,D:0,E:0

難度:計算中