問題詳情

6 對n通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)與p通道金氧半場效電晶體(P-MOSFET)之臨界電壓( threshold voltage)Vt的敘述,下列何者正確?
(A)常閉(normally off)NMOS之Vt>0,而常通(normally on)PMOS之Vt<0
(B)常通NMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt<0
(C)常閉PMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt<0
(D)常閉NMOS之Vt>0,而常通PMOS之Vt>0

參考答案

答案:D
難度:困難0.25
統計:A(1),B(7),C(0),D(3),E(0)

用户評論

waynegod96208】評論

n通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET),請問這題的金氧半場效電晶體是空乏型還是增強型?

我只是略懂(106/107】評論

一般題目未言明是空乏常閉指的是空乏 常通是增強(請見維基百科) 所以應該BC都對 反而是D錯