一、試畫出一互補式金氧半場效電晶體(CMOS)之剖面圖(cross-section),請清楚標示所使用之各項半導體物質與節點名稱,並解釋源極(Source)與汲極(Drain)之間通道長度調變效應發生
四、圖三所示放大器電路中,MOSFET 電晶體製程參數如下:kn’ = μnCox = 800 μA/V2,kp’ = μpCox = 450 μA/V2,輸出電阻 ro 為 200 kΩ;所有的電晶
一、圖一(a)為天線與接收機示意圖,假設其工作頻率為 1 MHz,為了分析,假設圖一(b)為圖一(a)的戴維寧等效電路。另外,圖一(c)所示為天線經由耦合電路連接到 100 KΩ固定負載之等效電路。試