三、參考函數：【題組】⑴請求其傅立葉級數（Fourier Series）之半波正弦展開式（Half-Wave Sine Expansion）。（10 分）
【題組】 ⑵請求其傅立葉級數之半波餘弦展開式（Half-Wave Cosine Expansion）。（10 分）
四、若某移動粒子的位置向量（Position Vector）為r(t ) = 2 Cos t i + 2 Sin t j + 3t k ，請求其【題組】⑴單位切線向量（Unit Tangent Vec
五、若 C（Contour）之描述如下，請求，其中 z 為複數變數（Complex Variable）。【題組】⑴ C 是以原點（Origin）為中心逆時鐘方向的單位圓（Unit Circle）。（1
【題組】 ⑵ C 是由點（1+i）延伸至點（2+4i）的直線。（10 分）
一、如圖所示之桁架，假設 AE＝常數，其材料之降伏應力為 σ y 。【題組】⑴試以位移法（displacement method）求各桿內力。（10 分）
二、所示之梁，假設 EI＝常數。【題組】⑴試以共軛梁法求 B 點之轉角及變位。（10 分）
【題組】 ⑵試繪此梁之剪力圖及彎矩圖。（10A P P P CBL/3 L/3 L/3 L/2 L/2
三、如圖所示之剛接門型構架，假設 EI＝常數，忽略梁之軸力效應試以結構矩陣法求此構架允許側位移之彈性臨界載重（elastic critical load）Pcr。（20 分）
四、如下圖所示之簡支梁，長度為 L，一端點承受一集中力 P，另一端點承受一集中彎矩 M，假設 EI＝常數。試求：【題組】⑴最大變位的位置。（10 分）
【題組】 ⑵最大變位。（10 分）
五、敘述或解釋下列名詞：（每小題 5 分，共 20 分）【題組】⑴梁彎曲之基本假設
【題組】 ⑵波松比（Poisson’s ratio）
【題組】 ⑶扭轉剛度（torsional rigidity）
下列那一個名詞，何者比較接近教育的規準？(A)訓練(B)洗腦(C)灌輸(D)宣傳
【題組】⑷若要求Vmax − Vmin ≤ 0.2 V，最小的電容值 C 為何？
二、下圖電路為一放大電路，基於以下兩種不同之條件，推導出輸出電壓的大小。（每小題10 分，共 20 分）【題組】⑴運算放大器為理想的。
【題組】⑵運算放大器的不理想特性為VOS = 10 mV（Offset Voltage），其餘特性理想。
三、下圖為簡化的 MOS 放大電路，電路參數如標示，未標示參數之特性假設理想。（每小題 5 分，共 20 分）【題組】⑴畫出此一電路的等效小信號模型。
【題組】⑵直流增益（DC Gain）Avo。
【題組】⑶以米勒定理將CC拆解為輸出與輸入兩個電容，求其值並畫出小信號模型。
【題組】⑷根據⑶所得的小信號模型，求出此一電路的主極點（Dominant Pole），以角頻率ω表之。
四、右圖為簡化的 MOS 放大電路，電路參數如標示，其餘特性理想。求以下參數，頻率部分皆以角頻率ω單位為 rad/s 表之。（每小題 5 分，共 20 分）【題組】⑴直流增益（DC Gain）Avo。
【題組】⑵單位增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）ωt。
【題組】⑶ 3 dB 頻率（frequency）ω3dB。