施密特觸發電路的應用之一,是可以藉由其磁滯效應( hysteresis effect)將輸入的週期性信號轉換成週期性方波信號輸出。圖(十九)電路中,假設運算放大器的輸出正負飽和電壓,輸入電壓vs(t)
35. 圖(二十)為 555 IC 的典型方波產生器電路,其輸出方波信號的週期為 T=T+ +T-,其中T+和 T-分別為正負電位的時間。令工作週期=(T+ /T)×100%,試問下列何種 R1和 R
36. 據報導指出:台積電與聯電在 90 奈米製程世代發展至今已步入成熟階段,產能比重均已大幅提高。這裡所指的 90 奈米,為何種尺寸?(A) 電晶體的閘極長度 (B) 電容器的絕緣層厚度(C) 電路
39. 下列何種摻雜的改變行為,可增加 BJT 電晶體的電流增益 β?(A) 基極與射極摻雜濃度均降低(B) 基極與射極摻雜濃度均增加(C) 基極摻雜濃度增加與射極摻雜濃度降低(D) 基極摻雜濃度降低
40. 下列敘述何者有誤?(A) BJT 當開關使用時是工作於飽和區或截止區(B) BJT 當放大器使用時是工作於主動區(C) BJT 在主動區的偏壓方式是 BE 接面順向偏壓,BC 接面逆向偏壓(D
42. 如圖(二十三)所示電路,場效電晶體之參數為:臨界電壓(threshold voltage )VT =2.0V,k=2mA/V2。求 IDS為何? (A) 8mA圖(二十三)(B) 4mA(C)
43. 如圖(二十四)之電路,假設 RC 值遠大於輸入信號 vs(t)之週期,D 為理想二極體,試問輸出電壓 vo(t) 之直流準位為何? (A) 0V圖(二十四)(B) −5V(C) −10V(D)
45. 如圖(二十六)所示之電路,β=120。假設 L1為原先之直流負載線(load line ),Q1 為原先之直流工作點。若只改變 RC 值,欲使得直流負載線由 L1變成 L2 ,試問 RC 值需
46. 如圖 ( 二十七 ) 所示之電路, R1= 100 Ω, Is為理想電流源,β = 100,熱電壓(thermal voltage)VT =26mV,歐力電壓(Early voltage)VA
48. 如圖 ( 二十九 ) 所示之電路,假設電晶體工作於主動區 ( active region ) ,欲使 Av=vo(t)/vs(t)=-40,則 RC 應為下列何值? (A) 1kΩ圖(二十九)
49. 如圖(三十)所示之電路,有關此電路之特性敘述,何者正確? (A) C2的耐壓至少需為一倍 Vm(B) C3 的耐壓至少需為兩倍 Vm(C) D1的峰值逆向電壓至少為兩倍 Vm(D) 此電路為半