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• 21. 若以10安培( A )電流對含有下列鹽類之溶液電解20分鐘，請問哪個溶液的陰極可沉積最重之金屬？(A) HfCl4 (B) ScBr3 (C) WCl6 (D) ZnCl2
• 37. 如下圖所示，一中空圓形斷面，試求陰影面積慣性矩 為何？ (A) (B) (C) (D)
• 34. 設f(x)=cosx， ，試選出正確的選項。(A) (B)f(x)+g(x)的週期為2π(C)f(x)+g(x)的最大值為 (D)f(x)-g(x)的週期為π(E)f(x)-g(x)最大值為
• 22. 請問有機物化合物 有幾種結構異構物？(A) 5 (B) 6 (C) 7 (D) 8
• 23. 如右圖所示之矩形梁，斷面由兩種材料構成，楊氏係數分別為E1 = 50 GPa 與 E2 = 200 GPa，受到純彎矩時，試求中性軸位置與底面之距離 c 為何？ (A) 15 cm (B) 2
• 23. 有一含碳、氫和氧之有機化合物，取23毫克完全燃燒後生成二氧化碳44毫克及水27毫克，請問此化合物之實驗式為何？(A) C2H4O (B) C2H6O (C) C3H6O (D) C3H8O
• 24. 依鹼度大小排列，請問下列何者正確？(A) RNH2 ＞ RCONH2 ＞ RSO2NH2 (B) RCONH2 ＞ RNH2 ＞ RSO2NH2(C) RCONH2 ＞ RSO2NH2 ＞ R
• 25. 下列有機化合物中，何者可以被氧化成為酮類？(A) CH3CH2OH (B) (CH3)2CHOH (C) CH3OCH3 (D) CH3CHO
• 24. 如右圖所示之簡支梁，承受向上及向下均佈載重，試求其最大彎矩之絕對值為多少kN-m？ (A) 27 (B) 18(C) 13.5 (D) 6.75
• 25. 如右圖所示之雙埠電路圖，下列何者為該電路之 z 參數值？ (A) z11 = 5 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 10 Ω、z12 = 10 Ω(B) z11 = 10 Ω、z21 =
• 26. BF3的點群(Point group)為何？(A) (B) (C) (D)
• 26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？(A)半導體內電流 (B)半導體型式(n或p)(C)半導體內磁場 (D)半導體溫度
• 27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1，請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為
• 28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄(C)溫度上升時，障壁電壓上升(D)溫
• 29. 如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二極體，下列敘述何者有誤？ (A)當VI = 0 V時，VA = 4 V，VO = 4 V(B)當VI = 6 V時，VA = 6 V，VO = 6
• 25. 如右圖所示，一受力之地梁，下列何者最能代表其壓應力側之彎矩圖？ (A) (B) (C) (D)
• 30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(Operation Point)落在下列何種區域，可獲得較佳之放大倍率？(A)作用區(Active Region) (B)
• 31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖，若電晶體 βDC = 80，VBE = 0.7 V，請問 VC 為何？ (A) 2 V (B) 4.3 V(C) 5 V (D) 8.6 V
• 38. 有關延性材料之「抗剪強度」、「抗拉強度」及「抗壓強度」，其由大至小依序為何？(A)抗拉≥抗壓＞抗剪 (B)抗壓≥抗剪＞抗拉 (C)抗壓≥抗拉＞抗剪 (D)抗拉≥抗剪＞抗壓
• 32. 有關 BJT 與 FET 之比較，下列敘述何者正確？(A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說，FET 作為放大器的雜訊較大(C) BJT 是雙載子元件，FET 是單載子元件 (D
• 33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時，具最大散熱功率 PDO 為 2 W，最大接面溫度為 150 ℃，請問當環境溫度上升至 50 ℃時，可安全散熱之最大功率為何？(A) 1.2 W (B)
• 34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區
• 35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正(B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓，則無法建立通道(C)空乏型 n 通道
• 36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 ID = IDSS，下列哪一種方式可達成？(A) VGS =
• 37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET，Kn' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)(A)當VD =