題庫堂
檢索
題庫堂
首頁
數學
英文學習
政治學
統計學
經濟學
藥理學
中醫藥物學
財政學
法學知識
公共行政
警察學
BI規劃師
財務管理
公共衛生學
工程經濟學
電力電子學
當前位置:
首頁
四、假設 a 為一大小為 m×n 之二維陣列,其中 a[1][2]之位址為 124,a[5][4]之位址為228,已知陣列每一元素之大小為 4 位元組,則 a[3][5]之位址為何?(假設陣列索引值由
問題詳情
四、假設 a 為一大小為 m×n 之二維陣列,其中 a[1][2]之位址為 124,a[5][4]之位址為228,已知陣列每一元素之大小為 4 位元組,則 a[3][5]之位址為何?(假設陣列索引值由 0 開始,陣列採以列為主(row major)方式排列)。(10 分)
參考答案
答案:C
難度:簡單0.736842
統計:A(13),B(5),C(224),D(26),E(2) #
個人:尚未作答 書單:沒有書單,新增
上一篇 :
四、甲欠乙 5 百萬元借款,已超過 15 年,甲仍提出給付,若甲事後發現其得主張時效抗辯,可否向乙要求返還所提出之給付?(25 分)
下一篇 :
【題組】 ⑵審判期日中,審判長訊問當事人及辯護人對該勘驗筆錄有何意見?渠等均表示:「沒有意見」。則該勘驗筆錄是否得作為證據?(5 分)
資訊推薦
【題組】 ⑵法院審判期日,辯護人因事遲延到庭或中途任意退庭,可否視為已經到場「辯護」?(5 分)
三、Herpes Simplex Virus(HSV)是一種疱疹病毒科的病毒,請回答以下問題:(每小題 5 分,共 25 分)【題組】⑴ HSV 是屬於 DNA 病毒或 RNA 病毒?
【題組】 ⑷如果 則 y(n) = ?(請注意在你的答案中,n 須涵蓋所有整數。)(8 分)
二、【題組】⑴對於 PECVD 製程中,使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD(Inter-layer Dielectric)TEOS 製程溫度在 400℃左右或更
【題組】 ⑶倘法院於準備程序中,當庭口頭通知被告及其辯護人,欲行勘驗證人警詢筆錄之期日及處所,但被告及其辯護人明確表示「不願到場」,並載明於筆錄中,且有簽名於筆錄。試問該勘驗筆錄有無證據能力?(5 分
【題組】 ⑵此病毒的感染形式為何?
【題組】 ⑵試問經由施加負回授,使那個電路成為電壓放大器?電流放大器?轉導(transconductance)放大器?轉阻(transresistance)放大器?(8 分)
三、許 多 漁 業 管 理 會 議 和 文 件 報 告 中 , 都 提 到 「 非 政 府 組 織 ( Non-GovernmentalOrganizations, NGOs)」,請說明 NGOs 的
【題組】 ⑶適應力(adaptability)
【題組】㈢(1011)2
【題組】 ⑶請描述此病毒的型態與結構。
53.全身麻醉劑desflurane的結構為何?(A) (B) (C) (D)
【題組】 ⑷參考點(reference points)
【題組】 ⑶法院審判期日,辯護人雖有到庭,辯護人僅稱:「請庭上依法判決」或只陳述:「辯護意旨如辯護狀所載」,可否認為已經有「辯護」?(5 分)參考法條:刑事訴訟法第 31 條第 1 項有下列情形之一,
【題組】 ⑷ HSV 會引發那些疾病?
五、在 C 語言中,宣告 int a[3] = {2, 4, 6},若&a[0]的值是 1000 且整數之大小為 4 位元組,請問 printf(“%d %d", *(a+1), a+1)的輸出為何?
二、請說明「下雜魚」的定義。(5 分)並從海洋生態系的角度,說明「下雜魚」對海洋漁業生產力的影響及理由。(10 分)
四、第一審法院受命法官定準備程序期日及處所,疏未注意傳喚被告及通知辯護人,即進行勘驗證人之警詢筆錄光碟。試問:【題組】⑴該勘驗筆錄有無證據能力?理由何在?(15 分)
六、若一具有 10 個節點 A, B, C,…,J 之二元樹(binary tree),其先序尋訪(pre-order traversal)順序為 JCBADEFIGH,中序尋訪(in-order t
【題組】⑵是那些技術的改進促成銅連線製程應用到積體電路製程裡?(6 分)
【題組】⑵在高密度電漿 CVD(HDP CVD)氧化物製程中,為什麼用矽烷而不用 TEOS 作為矽來源氣體?(5 分)
【題組】⑶對於 PECVD 製程中,以矽烷作為沉積氧化矽之氣體源,當增加矽烷流量時,氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少?原因為何?但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源,為什麼當 TEOS 流量增加
三、【題組】⑴電漿蝕刻製程中常使用那兩種惰性氣體?其作用分別是如何,請說明。(5 分)
【題組】⑵為何在沉積多晶矽薄膜時,所使用之氣體源多為矽甲烷而非矽氯化物?(5 分)
【題組】 ⑵對於一矽晶片,於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm的多晶矽,而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 1.5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖案化蝕刻以暴露出下方之二