問題詳情
四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電常數 εs為 11.9εo，氧化層介電常數 εox為 3.9εo，真空之介電常數為 εo。（20 分）
參考答案
答案：D
難度：非常簡單0.926686
統計：A(19),B(296),C(135),D(5688),E(0) #
個人：尚未作答書單：時節/節氣比較、名人與知己(物)之配對
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【Gbf Guo】評論
菡萏 注音一式 ㄏㄢˋ ㄉㄢˋ荷花的別名。見「荷花」條