二、矽(Si)薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷(SiCl4)與氫氣(H2)在平面基板上以氣相沉積方式鍍膜,設 S 為鍍膜表面活性位置(active site),整體反應機制如下:【題組】 ⑴請推導矽
三、氣相一階放熱反應 A → B(速率常數 k = 0.4 min-1)於一絕熱(adiabatic)的連續攪拌槽反應器(CSTR)中進行,壓力維持在 4.1 atm,反應器溫度為 1000 K。進料
四、氣相二階(second order)反應 2A → B 於恆溫之定體積批次反應器中進行,反應開始時含有 A 與惰性氣體 I,請問下列實驗數據圖中那些是正確的?原因為何?(C:濃度;P:壓力;X:轉
二、臺灣南部登革熱疫情年年都有,今(2015)年比往年嚴重,不論是衛生福利部疾病管制署、地方衛生與環保單位等,無不努力控制,然而疫情仍拉警報。⑴請描述登革熱為何?有那些特質?(10 分)⑵請以條列方式
三、何謂「活力老化(activity aging)」和「主動運輸(active transportation)」?在活力老化和主動運輸的考慮下,請說明旅次(trip)定義和運輸規劃需重視的運具。 (2