30 圖中電路在中頻工作,rd為電晶體小訊號汲極端內阻,其中R、C(包含C1與C2)元件功能為: (A)C減低漣波,rd、Rs與Av放大率無關(B)C阻斷直流分量,Av約接近 1(C)C阻斷直流分量,
32 關於系統轉移函數 之敘述,下列何者正確?(A)低頻-3 dB頻率在 10 rad/sec (B)低頻-3 dB頻率在 102rad/sec(C)高頻-3 dB頻率在 103rad/sec (D)
38 在下列何者條件下,增強型N通道MOSFET,會有通道產生並使汲極電流ID流通(ID>0)?(Vt為臨限電壓(Threshold Voltage))(A)VDS>0,VGS<Vt (B)VDS>0
39 圖中RB極大,電晶體操作在主動工作區,RE=1 kΩ,RC B=8 kΩ,β=50,其輸入電阻約為何?(中頻段工作) (A) 102 kΩ (B) 50 kΩ (C) 58 kΩ(D) 8 kΩ
34 由電阻R1、R2、Rf和理想運算放大器組成的加權加法器(Weighted Summer),如圖所示。其中R1=9 kΩ,R2=3 kΩ,Rf=9 kΩ。若VO=-3 V,V1=3 V,則V2為多
40 下圖達靈頓(Darlington)電晶體電路中,β1及β2分別代表Q1及Q2電晶體的電流增益參數,則達靈頓電晶體的電流增益βD約為何? (A)βD=(β1β2) / (β1+β2)(B)βD=β
1 N通道增強型(Enhancement Type)MOSFET的臨界電壓Vt =3V,其閘極電壓為VG =4V,且源極接地,則當汲極的電壓為何,可讓此元件工作在歐姆區: (A) 0.5V (B) 1
5 下圖中,已知電晶體β =250 及VBE=0.7V,則VCE之近似值為何?(A) 5.32V 22V (B) 7.84V (C) 12.03V R1 40kΩ RC 18kΩ (D) 20.15V