11 如圖，欲使此四對一多工器執行 NAND 運算，如其輸出所示，則輸入信號(a, b, c, d)應為何種資料？(A)(0, 0, 0, 1) 4:1 (B)(0, 0, 1, 1) x 0 (C)
12 如圖所示之CMOS電路，輸出F與VDD之間為pFETs元件組態，輸出F與接地之間為nFETs元件組態，則其輸出F為： (A) (B)(x + y)(w + z) (C)(x + w)(y + z
13 考慮一加強型NMOS電晶體，於VGS = 3.3 V且 VDS = 2 V時量得電流 ID = 1.5 mA，同一製程之電晶體若在相同操作電壓下欲得到更大之電流，可藉由下列何項方式達成？ (A)
16 理想運算放大器具有虛擬短路（virtual short circuit）性質時，主要是因為那兩端之間存在回授電路所致？ (A)反相端（inverting terminal）與輸出端（output
18 如圖為共源級放大器（common source amplifier）電路，其飽和區之電流方程式為IDp = KP(VSGP – |VTP|)2，電晶體參數為：KP = 1 mA/V2，VTP =
19 欲對一 MOSFET 放大器電路之電壓增益作頻率響應之分析，若此電路中同時含有旁路電容（bypasscapacitor）及耦合電容（coupling capacitor），則此電路在分析時，對於
21 如圖之電流鏡偏壓電路，若 M1，M2，M3 及 M4 為完全相同且尺寸一樣的四個加強型 MOSFET 電晶體，下列敘述何者錯誤？ (A)為使電路提供穩定電流，四個電晶體均需工作於飽和區 （sat
22 如圖電路，何項敘述錯誤？【題組】 22 (A) M1-M2 組成差動放大器之輸入差動對（differential pair） (B) M3-M4 為一電流鏡 ID1 RD ID2 RD I1 R
【題組】23 承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為IDn = Kn(VGSN – VTN)2，則偏壓電流IQ
1 有關 DRAM（動態隨機存取記憶體）與 SRAM（靜態隨機存取記憶體）的敘述，下列何者正確？(A) SRAM 需要重新充電（refresh） (B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜 (
25 電路上應用負回授（negative feedback）之觀念，下列何者錯誤？(A)使用負回授可提升電路抗雜訊之能力 (B)負回授可降低電路之非線性效應 (C)負回授具有穩定輸出且會提高增益 (D
28 請問圖中電容（C1及C3）的功能分別為何？ (A)C1及C3皆為旁路（bypass）電容 (B) C1為交流耦合（ac-coupling）電容，C3為旁路（bypass） 電容 (C) C1為旁
32 假設圖中放大器之所有電晶體（Q1, Q2, Q3）的小訊號參數分別為（gm1、gm2、gm3）及（ro1、ro2、ro3），vi為輸入電壓，VB2及VB3為偏壓電壓；電流源（I）為理想電流源，試