初等/五等/佐級電子學大意

16 如圖所示，不可能表達何種元件？   (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）

17 如圖所示，二極體的導通電壓為 0.7 V，順向電阻為 100 Ω，則當 V1 = 0 V 、 V2 = 5 V 時， Vo 之電壓約為： (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V

18 下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？(A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大 (C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (

33 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。其中R1＝R2＝10kΩ，負載電阻RL＝20kΩ。若輸入電壓VIN ＝2V，則負載電壓VL為何？(A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V

19 如圖所示的電源供應器，若輸入電源為 120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF，則在50 Ω 負載端的漣波約為： (A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V

20 如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為 5 V ，最小值為 − 5 V ，二極體之導通電壓為0.7 V ，若 Vi = −1 V ，則 Vo 值為何？ (A)0 V (B)0.7 V

34 圖示理想運算放大器電路，若輸出電壓vO＝2(v1－v2)，則：(A)R1＝2kΩ、R2＝4kΩ、R3＝10kΩ、R4＝10kΩ(B)R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝5kΩ、R4＝10kΩ (C

21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益 α = 0.99 ，其共射極電流增益 β 等於：(A)99 (B)119 (C)199 (D)200

22 順向偏壓二極體的小訊號電阻 rd ，與通過二極體的直流電流 I D ，兩者的關係為：(A) rd ∝ I D (B) rd ∝ √I D (C) rd ∝ 1 / I D (D)兩者間無關聯

23 射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？ (A)高輸入阻抗，高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，高輸

24 在高頻的共射極電晶體電路中， C be 及 C bc 分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容，下列敘述何者正確？(A) C bc 為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸

25 圖 a 為無負載的放大器電路，圖 b 為有負載電阻 RL 的放大器電路，圖 c 為有電源電阻 RS 及負載電阻RL 的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為 Ava , Avb

35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中，Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗，rd為MOSFET小訊號模型汲極區域內電阻，下列敘述何者正確？ (A)Zi＝R1+R2，Zo＝RD (B)Zi＝(R1 R2

26 一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其 VGS 的值為：(A)負值 (B)零 (C)正值 (D)正、負皆可

27 圖中電路 VD = 12 V 而 VGS = −2 V ，則其 RS 為： (A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ

36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線，操作在那一點時功率損耗最多？(A)P1 (B)P2(C)P3 (D)P4

28 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數 β (= I c / I b ) 為 100，不考慮電晶體集極到射極的交流輸出阻抗 ro 的影響，則此放大器的輸入阻抗 Z i (=

37 PN接面二極體，P型的雜質濃度為NA，N型的雜質濃度為ND，接面處P型的空乏區寬度為XP，N型的空乏區寬度為XN，若NA＞ND，則下列敘述何者為正確？ (A) XP＞XN (B)XP＜XN (

38 設VBE＝0.7V，則圖中的電流IC約為：(A) 10.0mA (B) 6.0mA (C) 4.3mA (D) 3.8mA

29 如圖共基極偏壓電路中，求出 I EQ 與 VCEQ 值。 (A) I EQ = 3.50 mA ， VCEQ = 4.50 V(B) I EQ = 2.50 mA ， VCEQ = 3.50 V

39 圖中電路，假設VIN＝VDD，VG＝VDD，VDD＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，VTH ）為 1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製

30 圖中振盪器之振盪頻率約為何？ (A) √10 × 1010 rad/sec (B) 1010 rad/sec (C) √10 × 10 9 rad/sec (D) 109 rad/sec

40 某場效電晶體Av對頻率f曲線如圖，其頻帶寬(BW)之定義為：(A)BW＝f4-f1 (B)BW＝f4-f3 (C)BW＝f2-f3(D)BW＝f2-f1

31 雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指：(A) VBE 隨溫度變化的現象 (B) I C 隨溫度變化的現象 (C) I C 隨 VBC 逆偏壓改變的現象 (D) I

32 如圖 a 所示為具有信號源電阻 Rs 和負載電阻 RL 的放大器電路，設 re = 5.6 Ω ， β = 100 ， ro = ∞Ω 。圖 b為在 390 kΩ >> 10β re

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