40 在 MOSFET 之各參數已確定的情況下，當工作於飽和區（saturation region）時，其跨導 gm 與汲極電流 ID之間的關係為何？(A) gm正比於 ID (B) gm正比於(1/
3 如圖振盪器電路，下列何者為非？ (A)此電路為積分相位落後型 RC 相移振盪器 (B)輸出訊號欲達成振盪，R2及R3設計值必需 符合R2 ≥29R3之條件 (C)振盪頻率為 (D)三組 RC 串聯
5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之 VDD 轉導值gm皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗 （ro＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)其電壓增益之絕對值約為 1
6 圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、 R1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為 -1V時，此輸出電壓vO 為若干V？ (A)-4 (B)-5 (C)4 (D) 12 或-12 皆有
8 若量一電晶體電路的數據為gm＝80mA/V。當IB＝110μA時IC＝9mA，當IB＝130μA時IC＝11mA。則其 電晶體基 - 射極間之小訊號電阻值rπ 約為： (A) 1.25kΩ (B)
9 某運算放大器其開迴路增益（Open Loop Gain）的單增益頻率（Unity Gain Frequency）ft＝1MHz，若以此運算放大器接成 R2 如圖之反相放大器，其中頻增益為-1，則此
11 在 A 類（Class A）、B 類（Class B）、AB 類（Class AB）、C 類（Class C）放大器中，以那一類放大器之功率轉換效率最低： (A)A (B)B (C) AB (D
12 圖中電路用來當作數位反相器（ Inverter ），其中 VCC＝5V， RC＝1kΩ， RB＝5kΩ，電晶體之 VCE(sat)＝0.2V，VBE(on)＝0.7V， β＝100。此電路之低位
14 如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及χ3 χ2 χ1 χ0 多工器（Multiplexer）所組成，其中χ3、χ2、χ1、χo 為輸入訊號，z3、z2、z1、z0為輸出訊號，
19 圖中電路，R1＝10kΩ，R2＝1MΩ，若運算放大器的輸入偏移 R2電壓（Offset Voltage，VOS）為 1mV，輸入偏壓電流（Bias Current，IB）為 0.2μA，則輸出的