37 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。若電晶體都有相同的爾利電壓（EarlyVoltage，VA）100V；且都設計在相同的驅使電壓（O
38 有一空乏型P通道MOSFET，VGS(off)＝4V，IDSS＝8 mA，則當此MOSFET的VGS＝-1V時，汲極電流ID為： (A) 4mA (B) 8mA (C) 10mA (D) 12.
40 如圖a所示為一個達靈頓（Darlington）射極隨耦器電路，而圖b為其交流等效電路。其中達靈頓電晶體的電流增益βD（ ≈ Io / Ib）值遠大於 1，則圖b的電流增益Ai（=Io / Ii）
1 一般而言，相較於雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor），金氧半場效電晶體（MOSFET）之特性，下列敘述何者正確？ (A) 金氧半場效電晶體之輸入阻抗較高，增益
4 若要實現一個好的電壓放大器之輸出級時，應採用那一種放大器組態？(A)共射極（Common Emitter） (B)共集極（Common Collector） (C)共基極（Common Base）
5 如右圖所示之電路，其直流偏壓之基極電流為： (A) IB＝(VCC－0.7)/(RB＋RC)(B) IB＝(VCC－0.7)/[βRB＋RC](C) IB＝(VCC－0.7)/[(1＋β)(RB＋
6 有關右圖退化的共源放大器（Common Source VDDRD amplifier with source degeneration）中 Rs 的作用，下列何者不是 Rs 所提供的功能？ (A)
7 如右圖所示的電路方塊圖。若是理想振盪器，則其 必須符合的條件為何？（註：∣A(s)β(s)∣及 － ∠A(s)β(s)分別為 A(s)β(s)的大小及相角） (A)∣A(s)β(s)∣＝1，∠A(
8 如右圖所示的振盪器電路，其中虛線所標示之電R2 路的主要功能為何？ C (A)改變輸出信號電壓的振幅 (B)改變輸出信號的相位 (C)改變輸出信號的責任週期（duty cycle） (D)改變輸出
15 一單級放大器的低頻截止頻率為 1kHz，高頻截止頻率為 10kHz，若將兩個相同放大器串接後，則串接系統的低頻截止頻率為： (A) 707Hz (B) 1kHz (C) 1.55 kHz (D)
18 下列關於 CMOS 反相器電路之敘述，何者為非？(A)在不考慮電晶體漏電下，靜態功率消耗為零 (B)暫態電流等於電容充放電電流 (C)輸入電壓為 0V 時，則輸出點電壓為由高降低 (D)靜態時，