13 下列那一種記憶體需要週期性更新（Refresh）以防止儲存資料流失？(A) SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B) ROM（唯讀記憶體） (C) DRAM（動態隨機存取記憶體） (D) EPRO
17 下列有關 ECL 數位電路之敘述，何者錯誤？(A) 訊號擺幅（Swing）小 (B) BJT 電晶體不工作在飽和區（Saturation Region） (C)以共基極（Common Base）
21 圖中邏輯電路，其最長的傳播延遲（Propagation Delay）與一個基本 CMOS 反向器（Inverter）相同。在此反向器中， N 型金氧半（ NMOS）電晶體的寬長比（ Aspect
22 圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential Amplifier）。其中RC1＝RC2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為 100。則差動放大器的差模輸
23 雙極性電晶體（BJT）在何種情況下，可用小訊號線性模型電路分析？(A)輸入訊號振幅大 (B)輸入訊號＜＜VT（熱電壓） (C)輸入訊號可在主動區與截止區間工作 (D)輸入訊號可在主動區與飽和區內
27 圖a為共射極偏壓組態的放大器，圖b為其交流等效電路，設re＝5Ω、rπ＝(1+β)re、ro＝∞Ω、β＝90，則其電壓增益（Av）約為： (A) -1.0(B)-100 (C)-400 (D)-
31 IC 產業中之 Pseudo SRAM 的敘述，那一個是錯的？(A)它是揮發性記憶體的一種 (B)它用 1T（一個電晶體）DRAM 的技術去取代 6T SRAM 的架構 (C)它的 I/O 與控