32 迴轉率（Slew rate）為 15V/µ s 的運算放大器，若輸出電壓由零變化到 12V，需要多少時間？(A) 2.5µ s (B) 1.25µ s (C) 0.8µ s (D) 0.4µ s
34 X 及 Y 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1 及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1 及 Ri2，輸出阻抗分別為 Ro1 及 Ro2，今將 X 的輸出端接至 Y 的輸入端，則連接後整體電
35 假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一理想開關，今輸入交流信號 vi＝10×sin(ω‧t) V，則二極體 D1 在電路中所承受瞬間最大逆向電壓（reverse peak volta
36 下列有關 pn 接面二極體在順向偏壓下之敘述，何者正確？(A)空乏區（Depletion Region）寬度會增加 (B) P 型中的電子會跨過接面進入 N 型 (C)大量的電子會注入 P 型材
37 下列有關 PN 二極體之逆向飽和電流（reverse saturation current）的敘述，何者正確？(A)逆向飽和電流的方向是由 P 型朝 N 型流動 (B)逆向飽和電流會隨溫度升高而
38 有一個二極體電路如圖 1 所示，輸入端電壓為 vi＝Vm‧sin(ω‧t)，Vm 為振幅值，今利用示波器顯示輸入端與輸出端的電壓波形 vi(t)、vo(t)如圖 2 所示，其中 vi(t)的波形
1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述，下列何者正確？(A) 利用電晶體內的寄生電容儲存資料 (B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料 (C) 利用電晶體內寄生的閂瑣現象（Latch-Up）
2 下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體 Q2 係操作於飽和區（saturation region），且電晶體 Q2 之閘極的寬長比（W/L）2為電晶體 Q1 之閘極的
3 圖示電路之交流負載線（ac load line）之方程式為： (A)(iC－ICQ) (RC＋RE)＋(vCE－VCEQ)＝0 (B)(iC－ICQ) (RC // RL)＋(vCE－VCEQ)＝