初等/五等/佐級電子學大意

37 下列何者為隨機存取記憶體？(A) ROM (B) RAM (C) PROM (D) EPROM

38 下列有關光電二極體（photodiode）的敘述，何者正確？(A)光電二極體的輸出電流正比於入射光的強度 (B)光電二極體通常是在零偏壓或順向偏壓下操作 (C)光電二極體是將電的信號轉換成光的信

39 手機零組件之表面聲波元件係使用下列何種材料？(A)磁性材料 (B)壓電材料 (C)光電材料 (D)鐵電材料

40 下列何者屬於非揮發性記憶體（Nonvolatile Memory）：(A)動態隨機存取記憶體（DRAM） (B)靜態隨機存取記憶體（SRAM） (C)唯讀記憶體（ROM） (D)電荷耦合元件（C

19 關於 RAM 與 ROM 的敘述，下列何者錯誤？(A)當電源中斷時，RAM 的資料會消失 (B)資料一旦存入 ROM，只能讀取而不能任意更改內容(C) ROM 通常被用於儲存使用者的程式與資料

20 為何在雙極性接面電晶體進入飽和區操作時，操作速度嚴重變慢？(A)因為大量少數載子累積在基極無法短時間內排出 (B)因為集極發生崩潰效應(C)因為發生電流擁擠效應 (D)因為熱效應變嚴重

21 圖所示之電路中，BJT 電路之 Vo 值約為：  (A) 2.4 V(B) 3.2 V(C) 4.5 V(D) 5.7 V

22 一達靈頓電路如右圖，已知 Q1、Q2 的 hfe = 100，hie = 1 kΩ，hoe = 40 kΩ，則其電流增益 Ai = io / ib值約為：  (A) 0.5 × 104 (B)

23 如圖所示的運算放大器應用電路，其電壓增益，   ？

24 如圖所示電路，當輸入之正弦波信號在正半週時，則下列敘述何者正確？  (A) Q1導通、Q2導通、Q3截止、Q4截止 (B) Q1截止、Q2截止、Q3導通、Q4導通 (C) Q1導通、Q2截止、Q

25 有一串接的兩級放大器，其中第一級放大器之電壓增益為 60 dB，第二級放大器之電壓增益為 20 dB，若在第一級放大器輸入端加入峰值為 2 µV 的電壓輸入信號，且串接放大器無負載效應，則在第二

26 如圖所示，若欲降低運算放大器之輸入偏壓電流效應，加入電阻 R3，則 R3與 R1、R2間之關係為何？  (A)R3 = R1 // R2 (B)R1 = R2 // R3 (C)R3 = R1

27 由運算放大器，電容及電阻組成的微分器，若輸入電壓波形為一三角波時，則輸出電壓波形為： (A)三角波 (B)方波 (C)正弦波 (D)鋸齒波

28 右圖電路中的運算放大器之輸入偏壓電流為 1 µA，則右圖電路之 Vo – Vi等於：  (A) 0 V(B) 0.1 mV(C) 1 mV(D) 10 mV

29 設如圖電路之運算放大器為理想的，則由輸入 VI看進去的電阻為：  (A)無窮大(B) R1(C) R1 + R2(D) 0

右圖為一差動放大電路，【題組】30 若所有電晶體完全相同（當電晶體導通時，｜vBE|= 0.7 V、α ≅ 1），則vE值為何？(A) 0 V(B) 0.5 V(C) 0.7 V(D) 1 V

【題組】31 承上題，電晶體 Q1 側的 vC1電壓值應為多少？(A)-5 V (B)-3 V (C)-0.7 V (D) 0.5 V

【題組】32 承上題，該差動放大電路之電晶體 Q2 側的 vC2電壓值應為多少？(A)-5 V (B)-3 V (C)-0.7 V (D) 0 V

33 已知一個全波整流器的輸入電源為 60 Hz，設計輸出尖峰電壓為 10 V，負載阻抗為 10 kΩ，如要求輸出電壓漣波要小於 0.2 V，則其並聯電容至少要大於：(A) 83.4 µF (B) 4

34 今將二極體（diode）視為一理想開關，其特性曲線如圖 2 所示，其中端電壓的參考極性以及電流的參考方向如各圖所標示。 為： 現有一組二極體電路如圖 3 所示，則估此電路的輸出輸入關係（tran

35 右列 FET 電路操作於何種區域？  (A)截止區(B)線性區(C)飽和區(D)崩潰區

36 假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一理想開關，今輸入交流信號 vi = 10 sin(ωt) V，則右列電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的電壓值為

37 在下列 MOSFET 放大器組態中，何者之電壓增益 Av 為最小？(A) CS 放大器 (B) CG 放大器 (C) CD 放大器 (D)疊接（cascode）放大器

38 pn 接面二極體的逆向飽和電流 Is，隨 pn 兩側雜質濃度的增大而有何變化？(A)增大 (B)減小 (C)無關 (D)視半導體之材質而定

39 若 Vt為臨限電壓（threshold voltage），則 n 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體在何種條件下是在飽和區（saturation region）下操作？(

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