34 圖 1 為差動放大電路,若R1=R2=20 kΩ、R3=5 kΩ、Q1及Q2具有相同的電性參數,且其低頻小信號等效電路如圖 2 所示,則小信號電壓增益vo / vi約為:【題組】34 (A) 2
13 當在實現 MOSFET 的積體電路時,常常需要把其中許多 MOSFET 的源極和基板相接,此舉的目的為降低何種效應? (A)爾利(Early)效應 (B)米勒(Miller)效應 (C)基板(S
14 下列有關場效應電晶體臨限電壓(threshold voltage)Vt的敘述,何者正確?(A)n通道空乏型(depletion type)及n通道增強型(enhancement type)的Vt
38 在雙極性接面電晶體(BJT)的特性曲線中,當IB電流固定時,IC電流隨著VCE電壓增加而增加的現象 B稱為: (A)穿透效應(Punch-through Effect) (B)厄力效應(Earl
39 有一個由兩級相同的帶通放大器串接而成的放大電路,單一級的高頻截止頻率為 10 kHz,低頻截止頻率為 160 Hz,則此串接電路的總頻寬約為: (A) 6.15 kHz (B) 10.15 kH
40 下列那一種放大器具有很低之輸入阻抗?(A)共集極(common collector)放大器 (B)共源極(common source)放大器 (C)共汲極(common drain)放大器 (D
17 下列有關場效應電晶體放大器之敘述,何者正確?(A)共源極(common source)放大器之頻寬甚大於共閘極(common gate)放大器之頻寬 (B)共源極放大器之電壓增益甚大於共閘極放大