22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,若是將電容器CE移除,則此放大器的電壓增益AV(=V
37一個MOSFET完整的小信號等效電路模型如下所示,試問Cgs產生的原因為何? (A)兩層隔開之導電層相互之間受電場感應堆積電荷所致(B)pn接面於逆偏壓條件(reverse biased cond
38若一NMOS電晶體與一PMOS電晶體具有相匹配的特性,則除了Vtn =∣Vtp∣外,尚需下列何者?(A)(W/L)n =(W/L)p(B)μn=μp(C)μn(W/L)n =μp(W/L)p(D)
39 如下圖所示之共射極(Common Emitter)放大電路,若是已知此電晶體係操作於順向作用區(ForwardActive Region),且其厄力電阻(Early Resistance)為ro
24 有一個P通道增強型MOSFET,其臨限電壓Vt=-2 V,假使其閘極(gate)接地且源極(source)接至+5 V,欲使此元件正好進入飽和區(saturation region),則汲極(d
25 某差動放大器的共模增益ACM,差模增益Adm,下列何者有較佳的共模拒斥比(Common Mode RejectionRatio)? (A)ACM=0.1、Adm=100 (B)ACM=0.1、A