初等/五等/佐級電子學大意

35 金氧半場效應電晶體（MOSFET）具有高輸入阻抗，主要原因為：(A)施加於閘極的逆向偏壓(B)閘極的氧化層為絕緣體(C)通道中的空乏區（depletion）缺少可以移動的載子（carrier）(

36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者？(A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體(C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化

37 一般的橋式整流器（bridge rectifier）中，共需要使用到幾個二極體？(A) 1 (B) 2 (C) 4 (D) 8

24關於跟隨速率（Slew rate）和時間 及輸出Vo的敘述，下列何者正確？（式子中d表示微分） (A)跟隨速率＝最小值( )(B)跟隨速率＝最大值( )(C)跟隨速率和時間 及輸出 Vo無關(D)

38 如圖所示為由 n 通道增強型（enhancement type）MOSFET組成的邏輯電路。若在一正邏輯系統下，則其數位邏輯閘功能為何？ (A)及閘（AND）(B)或閘（OR） (C)反及閘（N

22 今有一BJT放大器電路如下圖所示，假設 C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大，今欲分析此電路對應的小信號等效電路並以π型等效電路模型表示BJT，則最恰當之等效電路為：

18 若系統之轉移函數為 ，下列敘述何者正確？(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器(C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器

39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其ID與VGS的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓（threshold voltage））(A)ID與VGS幾乎無

16 下列何者非為方波產生器電路？

40 有一CMOS電路如圖一所示，假設兩電晶體的臨限電壓（threshold voltage）等值，即|Vtn |=|Vtp| = Vt，今獲得其輸出-輸入關係的轉移特性（transfer chara

19 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V1＝1 mV、V2＝1 mV，試求其輸出電壓Vo應為多少？(A)-4 mV (B) 4 mV(C)-2 mV (D) 2 mV

25在信號放大電路中，若信號的振幅仍然在放大器的線性區域時，串接放大器的數目越多，則輸出信號與雜訊之比值（signal to noise ratio）：(A)變好 (B)不變 (C)變差 (D)無法決

26下列何種材料參數為決定半導體光偵測器可使用的光波頻段？(A)半導體熱脹冷縮係數(B)半導體能隙（band gap）寬度(C)半導體電阻率(D)半導體的光激發載子生命週

27如右圖所示電路，輸出電壓VO為： (A)3.4V(B)6.8V(C)13.6V(D)15V

20 一電流放大器電路如圖所示，含理想運算放大器，以及電阻R1、R2、RL。令R2＝1 kΩ，欲得到電流增益IL/IIN＝10，則R1電阻值為何？ (A) 100 Ω (B) 900 Ω (C) 9

17 關於圖中電路，下列敘述何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器(D)此為帶拒濾波器

28下列有關右圖理想運算放大器電路之敘述，何者錯誤？ (A)Vo −= 2Vi(B) i1= i2(C)輸入電阻Ri是無限大(D) i3=3i2

23 有一橫列位址解碼電路如下圖所示，圖中顯示輸出信號線WN所對應的交換電路陣列（SwitchingArray）的細部電路連線，CLKPVDDCLKPWN-1VDDCLKPWNGNDA2A2 A1 A

21 如圖所示為兩級串接RC耦合放大器電路，電晶體Q1與Q2之參數為VBE1＝VBE2＝0.7 V，β1＝β2＝100，又Vcc＝20 V且R1＝R5＝4 kΩ，R2＝R6＝1 kΩ，R3＝R4＝R7

18 圖中電路，gmRL>>1，其單位增益頻率（Unit Gain Frequency）約為： (A)(2πRC)-1(B)(2πgmRLRC)-1(C)gmRL/(2πRC)(D)gm/

29如右圖所示電路， R1=R2=1kΩ ，R3=R4=20kΩ，則Vo＝？ (A)8V(B)-8V(C)0.4V(D)-0.4V

24 若一矽塊之受體濃度為 1×1015/cm3，本質濃度為ni=1.5×1010/cm3，μn=1500 cm2/v-sec，μp=475 cm2/v-sec，則此一矽塊之導電率約為：(A) 7.6

25 下列方法何者不能有效降低二極體中的擴散電容？(A)減少元件面積 (B)減少載子生命週期(C)增加空乏區厚度 (D)使 p-n 摻雜區厚度小於電子電洞的擴散長度

26 如下圖所示之差動放大器，若電晶體β=200、VBE=0.7 V、V1=V2=0 V時，則其CMRR值為何？(A) 140 (B) 200 (C) 570 (D) 680

27 當把雙極性接面電晶體（BJT）的基極摻雜濃度加高時，其小信號模型中的那些參數值不會上升？(A)Cπ（射極基極接面電容） (B)r0（射極集極輸出電阻）(C)gm（轉導） (D)re（射極電阻）

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