21 針對 p 型半導體材料之描述,下列何者正確?(A)內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions)(B)內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions)(C)內部大部分是帶正電荷可以游動的載
22 矽晶接面二極體的等效電路模型中的擴散電容(Diffusion capacitance),由下列那一項物理現象所形成?(A)接面空乏區 (B)金屬和半導體所形成的歐姆接觸(C)接面的崩潰效應 (D
24 以數位電路之應用而言,相較於雙極性接面電晶體(BJT),有關金氧半場效電晶體(MOSFET)之特性,下列何者正確?(A) MOSFET 具有較低之功率消耗,並需要較少的晶片面積(B) MOSFE
28 史密特觸發器(Schmitt Trigger)的輸入和輸出之間存在何種效應?(A)基體效應(Body Effect) (B)磁滯效應(Hysteresis Effect)(C)米勒效應(Mill
33 下圖為那一種放大器的頻率響應(Frequency Response)? (A)直接耦合(Direct-Coupled)放大器 (B)電容耦合(Capacitively Coupled)放大器(C
34 下列有關米勒效應(Miller Effect)之敘述,何者正確?(A)輸入端等效電容正比於(1-兩端電壓增益) (B)輸入端等效電容反比於偏壓電流(C)輸出端等效電容反比於兩端電壓增益 (D)輸
36 某一邏輯閘輸入端為 A、B;輸出端為 Y,如圖所示。則此邏輯閘為: (A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate)(C)反閘(NOT gate) (D)互斥或閘(exclusive
40 下列關於下圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元(SRAM cell)之敘述,何者錯誤? (A)寫入時 BL 與 之輸入訊號互補(B)讀取後儲存資料即消失(C)當電源移除後,儲存資料即消失(D)在不
2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述,何者正確?(A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連 (B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連(C)PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補 (D)傳輸閘導通時