40 分析以下之電路,若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V;BJT 操作在順向主動區(Forward ActiveRegion)且轉導值 gm為 10 mA / V,β =
38 一個放大器在中段頻率範圍內,輸出電壓峰值為 10 V,則在高 3 分貝頻率(Upper 3 dB Frequency)時輸出電壓峰值約為多少?(A)5 V (B)7 V (C)10 V (D)1
39 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,Ibias為理想直流偏壓電流,電晶體之 β = 10。忽略元件之輸出阻
40 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求其輸入端等效之偏移電壓(offset voltage)|Vos| =? (A)1 m
2 電荷耦合元件(Charge Couple Device, CCD)由何種基本結構所組成?(A)金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)(B)pn接面(C)pnp結
3 對於雙極性接面電晶體工作在截止時,下列有關其接面偏壓狀況之敘述,何者正確?(A)集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓(B)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓(C)集基極接面逆向偏壓而且射
4 運算放大器電路之串並負回授(Series-Shunt Negative Feedback)對輸入阻抗Ri及輸出阻抗Ro之影響為何?(A)Ri減少,Ro減少 (B)Ri減少,Ro增加(C)Ri增加,
6 下列關於下圖反相器電路中,電晶體操作區之敘述何者正確? (A)A=0時,PMOS在飽和區(B)A=1時,PMOS在截止區(Cut-off Region)或三極區(Triode Region)(C)
7 一般的雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor),其射極(Emitter),基極(Base),集極(Collector)之雜質摻雜濃度以何者最高?(A)射極 (B)
8 下圖所示之電路,pnp雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor)係工作於何種區域(Region)? (A)截止區(Cut-off Region) (B)順向作用區(
9 有一放大器的-3 dB頻率為100 Hz和18 kHz,若其工作於標準測試頻率2 kHz且為0 dB時的輸出功率為60 W,則其工作於100 Hz和18 kHz時的輸出功率為:(A)30 W (B
10 下圖所示為一個n通道增強型(Enhancement Mode)MOSFET共源極電路,其參數值為:VDD=5 V,ID=0.1 mA,R1=30 kΩ,R2=20 kΩ,RD=20 kΩ,VTn
11 關於液晶顯示(LCD)的敘述,下列何者錯誤?(A)相同解析度之LCD電視機所需功率較LED電視機為低(B)LCD係靠液晶配向性來控制顯示(C)LCD需要一個外加或內部的光源(D)LCD不會因化學
13 下列何種振盪器,可以產生正弦波的振盪輸出電壓?(A)柯匹子振盪器(Colpitts Oscillator) (B)電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator)(C
14 如圖所示的電路方塊圖若是理想振盪器,則其必須符合的條件為何?(註:| A(s)β(s) |及∠ A(s)β(s)分別為A(s)β(s)的大小及相角) (A)| A(s)β(s) |=1,∠ A(