21 下列何種元件可將光能轉變為電能?(A)發光二極體(Light Emitting Diode) (B)雷射二極體(Laser Diode)(C)變容二極體(Varactor) (D)太陽能電池(S
23 當雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor)工作於順向作用區(Forward Active Region)時,集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加,
26 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,何者錯誤?(A)電晶體作為開關時,是在它的截止(Cut-off)與飽和(Saturation)兩個區工作(B)電晶體在飽和區時,B-E和B-C兩個接面都
27 如圖所示電路,電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-20 V,電阻R1=R2=6 kΩ,R3=R4=8 kΩ,R5=5 kΩ,當電晶體Q1與Q2皆為導通時,則輸出之電壓Vo約
28 下圖所示為一主動濾波器,若Ri=20 kΩ,Rf=200 kΩ,R1=1.5 kΩ,C1=0.02 μF,則其半功率點的頻率為: (A)5.3 kHz (B)10 kHz (C)15.1 kHz
32 當五個反相器(Inverters)接成一個環振盪器(Ring Oscillator),若各反相器具有相同之傳播延遲(Propagation Delay)tp,則該環振盪器之振盪頻率為:(A)5t
35 某一電晶體有200 MHz的單位增益頻寬(unity gain bandwidth),當此電晶體被設計成電壓增益為100的放大器時,其頻寬約為多少MHz?(A)200 (B)10 (C)5 (D
37 齊納二極體(Zener Diode)在整流操作時,最主要是利用何種物理機制?(A)厄利效應(Early Effect) (B)短通道效應(Short-channel Effect)(C)崩潰效應
38 一個MOSFET完整的小信號等效電路模型可以如下之等效電路表示,其中gmb是基體調變效應(Body Effect)所產生的互導(Transconductance)。 今若將接腳S(Source)
1 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0 Ω。關於以下電路之敘述,何者正確? (A)若 A, B 點電壓皆為 5 V,則電阻電流為 0.7 mA(B)若 A 點電壓為 5