17 下列關於二極體截波電路的敘述何者錯誤?(A)當輸入電壓大於某特定電壓值時,輸出波形會被截掉(B)當輸入電壓小於某特定電壓值時,輸出波形會被截掉(C)在被動截波電路中,未截波電壓輸入範圍的輸出增益
24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體(BJT),經實驗量測其基極 B 之電壓為 3 V,射極 E 的電壓 2.3 V,集極 C 電壓 2.4 V,請問此電晶體在何工作區?(A)主動區(Activ
25 關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者錯誤?(A)若電晶體操作於主動區,其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大(B)若電晶體操作於飽和區,其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於
27 如圖所示之電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區, mA/V 2,λ = 0,CGS = 15 pF,CGD = 4 pF且 VGS – VTH = 350 mV,求輸出端之 -3dB 頻率為何
23 如下圖所示之電路,其 MOS 電晶體參數: μn Cox =0.5mA/V2 , VTN=0.4V ,λ = 0,γ =0 ;假如 ,I = 3.3 V, φ = 3.3 V ,求準穩態(qua
20 在共射極放大器中,因為那一項等效或實際的電路元件之存在,使得放大器不能被視為理想的單向放大器(Unilateral amplifier)?(A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容(Coupli
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt,爾利(Early)電壓為 VA,當正好工作於三極體區(Triode Region)與飽和區(Saturation Region)之交界時,下列何者正確:(
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓(overdrivevoltage)Vov的關係為:(A) ID正比於 1/Vov (B
24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區,下列敘述何者錯誤?(A)相同過驅電壓(overdrive voltage)條件下,其轉導值(transconductance)與寬長比(W/L)成正比(B)
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2,若電壓 VD為 3 V,則電阻 RD應為若干 kΩ?(A) 4(B) 6(C) 12(D) 2
26 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中RE = 4.3 kΩ,RC1 = RC2 = RE/2,VCC = -VEE = 5 V,電晶體的 β 為 100,