21 在室溫下工作在主動模式之 BJT 電晶體,其集極電流 IC=2.5 mA,則其轉導(Transconductance)參數 gm約為:(A)2.5 mA/V (B)10 mA/V (C)25 m
22 某光檢測用光二極體的量子效率為 1,其接面面積 2×10-2 cm2,而入射光子通量為 5×1017 cm-2-s-1。已知電子電量為 1.6×10-19庫倫,則此光二極體所產生之光電流為多少?
26 考慮輸入一方波訊號至下圖的箝位電路中,二極體為理想,下列關於此電路操作的敘述何者錯誤?(A)當輸入電壓小於 E 時,電容可經由二極體進行充電(B)此電路最小輸出電壓為 E(C)此電路最大輸出電壓
28 如圖所示之電路,若電晶體操作在飽和區(Saturation Region),下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區(Forward Active Region)?(A)提高 R1(B)提高 R2
29 圖為共射極放大器,若 Av =|Vo/ Vi |,則下列敘述何者正確?(A) RC電阻值變大, Av值變小(B)將CE 拔掉, Av值不變(C) RE1電阻值變小, Av值變大(D)將CE 拔掉
30 如圖所示之電路,其電晶體參數: =0.5mA/V2,VTN = 0.8 V;假如 vI = 5 V,φ=4 V,求準穩態(quasi steady-state)輸出電壓 vO為何?(A)5 V(
31 如圖所示之電路,若 BJT 操作在主動區(Forward Active Region),轉導值(gm)為 10 mA/V,β=40,若忽略元件之輸出阻抗(rO),試求 Ri=?(A)3 kΩ(B
33 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應,IC= 1 mA,VT= 26 mV,β = 100,Cπ = 100 f F,Cμ = 20 f F,且 CCS =30
34 如圖之 MOS 差動放大器(Differential Amplifier),Q1=Q2,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 0.5 V,爾利電壓(Early Voltage