初等/五等/佐級電子學大意

26 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（ Early）與所有其他電容效應，假 使此電路之轉折（corner）頻率爲 130 Hz，β = 100，求此電路中電晶體之轉導（trans

27圖示電路主要作用爲： (A)電壓緩衝器（Voltage Buffer）(B)電壓放大(C)箝位 (Clamping)(D)濾波器

28圖示電路，若電晶體的 µnCox(W/L) = 100 mA/V2、輸出阻抗 ro = 10 kΩ，RD = 10 kΩ，I = 0.125 mA， 則電壓增益 Av 爲若干？(A)5(B)10(

29一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）是由下列那一種組合所構成？(A)CS-CG(B)CG-CD(C)CS-CD(D)CD-CG-CS

30下列關於 Chebyshev 低通濾波器的描述，何者錯誤？(A)爲一全極點濾波器(B)帶通中最大值與最小值的總數小於其階數(C)所有傳輸零點頻率全部都在無限大(D)在相同參數下，Chebyshev

31量測一內部補償的運算放大器，其直流增益為 7×104，增益下降 20 dB 的頻率為 1 kHz，求其 3 dB 頻 率的近似值為何？(A)10 Hz(B)100 Hz(C)1 kHz(D)10

32有一差動放大器，共模互斥比 CMRR = 1000，差模增益 Ad = 200，若兩輸入端訊號電壓分別爲 100 μV及 50 μV，則輸出電壓 Vo 約爲多少？(A)6 mV(B)8 mV(C)

33一個兩級串接理想放大器電路，若電壓增益依序爲 20 及 25，電流增益依序爲 10 及 100，則下列敘 述何者錯誤？（log10 2 0.301）(A)總電壓增益値爲500(B)總電壓增益分貝値

34分析下列之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm 為 1 mA/V；BJT 操作在順向主動區（forwardactive region）且轉導值 gm 為 10 mA/V，β = 10

35某可串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別爲 AV1 = 100 和 AV2 = 10000，試求總電壓增益爲 多少 dB？(A)60 dB(B)120 dB(C)10100 dB(D)10000

36圖示 CMOS 運算放大器電路，其中電容 CC 主要作用為何？(A)濾波(Filter）(B)頻率補償(Frequency Compensation）(C)耦合(Coupling）(D)旁路(By

37如圖所示電路，其中 R1C1 < R2C2，下列何者是 Av = Vo/Vi 的頻率響應圖？ (A) (B) (C) (D)

38如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，ro→∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V

39圖示電路，Q1 與 Q2 具相同特性，若 RD = 4 kΩ，VDD = 10 V，I = 2 mA，則電壓 Vo 應爲若干伏特？(A)2(B)5(C)6(D)10

40如圖所示之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？ (A)vo 之波形爲方波(B)vo 之波形爲三角波(C)vo 之波形爲正弦波(D)vo 之波形爲直流

1 圖中運算放大器的量測結果顯示 Vi = 2V，Vo = 4V，此一運算放大器的增益為何？(A)2(B)12(C)102(D)1002

2 如圖所示之理想運算放大器電路，此運算放大器之飽和（saturation）電壓為 ±10V，求在運算放大器飽和前之最大輸入電壓為何？(A)7V(B)8V(C)9V(D)10V

3 以下關於圖中電路的描述何者錯誤？(A)直流增益為 –R2/R1(B)–3dB 頻率為 1/(2π R1C)(C)具有一階的轉移函數(D)為一低通濾波電路

4 如圖所示之電路，μnCox＝35μA/V2，假定電晶體 ML 之 W/L=1 且 VTNL=－2V，電晶體 MDA 與 MDB 之W/L=4 且 VTND = 0.8V，忽略體效應（body ef

5 如圖所示之電路， ，VTN = 0.8V，VTP = －0.8V，λ=0，當 Vi = 2V 時，求Vo約為何？(A)1.64V(B)2.64V(C)3.64V(D)4.64V

6 在外加工作電源情況下，欲使一空乏型 N 通道金氧半電晶體近似截流，閘極對源極應加：(A)高正電壓(B)高負電壓(C)零電位(D)不一定

7 在 MOS 電晶體放大器中，以下列那一型的 MOS 電晶體最被廣泛使用？(A)增強型 NMOS(B)空乏型 NMOS(C)增強型 PMOS(D)空乏型 PMOS

8 一般矽質 PN 二極體導通時，其兩端的電位差約為多少伏特？(A)1.2(B)1.0(C)0.7(D)0.2

9 整塊正（P）型半導體材料之外在整體電荷表現是呈現：(A)正電性(B)負電性(C)視雜質原子之原子序而定(D)電中性

10 圖中整流電路，假設輸入電壓的變化為 VPS = 20V～24V，阻抗的變化為 RL = 100Ω～500Ω，則欲得到穩定的輸出電壓 VL = 10V，合理的 Ri應為(A)87.5Ω(B)175

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