38 如圖所示差動對電路,電晶體之 β = 100,ro →∞,RC = 4 kΩ,I = 2 mA,VCC = -VEE = 10 V,取VBE(on) = 0.7 V,VCE(sat) = 0.3
39 如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,忽略其輸出阻抗(ro),該放大器之高頻 3-dB 頻率(ωH)為何?(A) 1
30 有一運算放大器電路如圖所示,其中可變電阻值調整範圍為 0~10kΩ且電源接±15V,設 Vi=2V,則輸出 Vo電壓範圍為: (A)-20V~-10V(B)+10V~+20V(C) 0V~-10
31 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(=Ic/Ib)為 120,以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗 ro為 100kΩ,則此放大器的電壓增益 AV(=Vo/Vi)約為多少
19 圖中電路,R1=10kΩ,R2=1MΩ,若運算放大器的輸入偏移電壓(Offset Voltage,VOS)為 1mV,輸入偏壓電流(BiasCurrent,IB)為0.2μA,則輸出的可能最大偏
22 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load)。若電晶體都有相同的爾利電壓(Early Voltage,VA)100V;且都設計在相同的驅使電壓(