初等/五等/佐級電子學大意

17 若溫度每增高 10°C，矽二極體的逆向飽和電流 IS值會增為兩倍，則當溫度增高 40°C，IS會增為：(A) 4 倍(B) 8 倍(C)16 倍(D)32 倍

18 某數位電路之 VOH＝3V，VIH＝1.6V，VOL＝0.3V，VIL＝0.8V。下列有關其雜訊邊限（Noise Margin）的敘述，何者正確？(A)高雜訊邊限 NMH＝4.8V(B)高雜訊邊

19 圖示電路為何種濾波器？ (A)高通(B)帶通(C)低通(D)帶拒

12 當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？(A)崩潰（Breakdown）區(B)順向偏壓區(C)逆向偏壓區，但尚未崩潰(D)原點

13 如圖所示理想運算放大器電路，vI為輸入電壓、vO為輸出電壓，本電路為：(A)濾波電路(B)箝位電路(C)截波電路(D)倍壓電路

20 如圖所示為一個共射極組態電路，其輸入訊號（Vi）與輸出訊號（Vo）的相位差為(A) 0 度(B)90 度(C)180 度(D) 270 度

14 二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？(A)不變(B)變寬(C)變小(D)不一定

15 有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？(A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 180°(B)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 0°(C)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 0°(D)電流

16 雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 α = 0.98，試問：其共射極電流增益 β 為多少？(A) 49(B)70(C)98(D)198

17 如圖所示電路，當輸入電壓 vI = 0 時，輸出電壓 vO 為：(A)+VCC(B)0(C)-0.7 V(D)-VCC

4 圖為射極隨耦器（Emitter Follower）等效電路，VOUT/VIN的零點為：

21 圖示理想運算放大器電路為： (A)反相放大電路（Inverting Amplifier）(B)非反相放大電路（Non-inverting Amplifier）(C)電壓緩衝器（Voltage B

18 如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則電壓增益 Av約為若干？(A)-40(B)-20(C)-10(D)-5

22 圖 a JFET 的直流偏壓工作點為圖 b ID-VGS曲線中的那一點？ (A)P1(B)P2(C)P3(D)P

19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ω

5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之轉導值gm皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗(ro＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？ (A)其電壓增益之絕對值約為 10(B)輸出

23 如圖所示電路，下列何者為非？ (A)當輸入訊號 Vi的頻率 f 極小時（f ≅ 0），電壓增益 (B)當輸入訊號 Vi的頻率 f 極大時（f ≅ ∞ ），電壓增益 (C)此電路低頻截止頻率為 (

20 在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？(A)共源（CS）放大器(B)共閘（CG）放大器(C)共汲（CD）放大器(D)疊接（Cascode）放大器

21 如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，電晶體之 β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出

6 圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、R1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為 -1V時，此輸出電壓vO為若干V？ (A)-4(B)-5(C)4(D)12 或-12 皆有可能

22 雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：(A)BE 間逆偏，CB 間順偏 (B)BE 間順偏，CB 間逆偏(C)BE 及 CB 間均逆偏 (D)

23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？(A)10 V/

7 及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1及A2，輸入阻抗分別為Ri1及Ri2，輸出阻抗分別為Ro1及Ro2，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：

24 一個長通道 N 增強型 MOSFET，Vth = 1 V，當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當 VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為

25 一 N 通道增強型 MOSFET 的 Vt = 2 V，若 VG = 3 V 且 VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓 VD 約為：(A)2.5 V(

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