26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小(B)Cgs＞Cgd(C)ID越大，r
27 有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？(A)單一增益頻率值與外部電路元件相關(B)單一增益頻率值與轉導值成反比(C)共源極架構中短路
29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1的比值？(A)接近 0(B)接
30 已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1及 Ri2，輸出阻抗分別為 Ro1及 Ro2；若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端，則整體的電壓
8 若量一電晶體電路的數據為gm＝80mA/V。當IB＝110μA時IC ＝9mA，當I B＝130μA時IC＝11mA。則其電晶體基 -射極間之小訊號電阻值rπ約為：(A)1.25kΩ(B) 2.5
9 某運算放大器其開迴路增益（Open Loop Gain）的單增益頻率（Unity Gain Frequency）ft＝1MHz，若以此運算放大器接成如圖之反相放大器，其中頻增益為-1，則此反相放大
31 一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器，求此
32 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？(A)2.75
33 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（g
10 圖中齊納二極體（Zener Diode）的rZ＝20Ω，IZK＝0.2mA，VZK＝6.7V，若齊納二極體（Zener Diode）仍在累崩區工作，則最小負載電阻RL約為： (A) 0.5kΩ(
12 圖中電路用來當作數位反相器（Inverter），其中VCC＝5V，RC＝1kΩ，RB＝5kΩ，電晶體之VCE(sat)＝0.2V，VBE(on) B＝0.7V，β＝100。此電路之低位雜訊邊界（
13 何者是累崩光二極體（ 何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？ ）正確的檢光工作區域？(A)鄰近順向累崩區
14 如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及多工器（Multiplexer）所組成，其中χ3、χ2、χ1、χo為輸入訊號，z3、z2、z1、z0為輸出訊號，LD為載入控制訊號，CLR
36 有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？(A)可濾除高頻信號(B)濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率(C)當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性(D)當階數愈高，
37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？(A)接近