3 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若VCC＝5 V且輸入電壓VA＝0 V且VB＝5 V，則下列敘述何者正確？ (A) Q2導通、Q3導通、Q4不導通、輸出電壓VO＝High(B
6如圖所示為 555 計時器IC所組成之電路，其中若R1 = 2.2kΩ，R2 = 4.7kΩ，C1 = 0.022μF，C2 = 0.01μF，則其輸出之頻率約為： (A) 3.92kHz(B) 5
10 選用一部信號產生器的正弦波，將其輸入如圖所示電路的Vi端，已知此正弦波的振幅為固定，但其頻率可以有四種不同的選擇，分別如下列四個選項所示。則輸入信號的頻率為何時，電路的輸出端Vo有最大的電壓？(
2 在相同的偏壓下，若欲使金氧半場效電晶體（MOSFET）的iD電流增加，可以：(A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W (B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W(C)減少通道長度 L，並增加通
3 如下圖所示之電路中，若二極體之順向電阻（Forward Resistance）為 30 Ω，切入電壓（Cut-in Voltage）為 0.7 V，而外接電阻R=0.2 kΩ，外接電壓源VDD=3
6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？(A)固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance
7 如圖的電流鏡電路中，電晶體Q1、Q2具相同特性，其臨限電壓為Vt。要使輸出電流Io最接近IREF，則輸出電壓Vo應：(A)Vo＝VGS(B)Vo＝Vt (C)Vo＝VGS－V t (D)Vo＝VG
12 CMOS 反相器（Inverter）中，NMOS 和 PMOS 的源極（Source）應該如何連接？ (A)NMOS和PMOS源極接在一起 (B)NMOS的源極接地，PMOS的源極接VDD(C)
13 如圖所示的電路，當 S = 1 而且 R = 0 時，此電路的 Q 端的值為何？（註：Q（n-1）及 （n-1）分別為 Q 端及 端先前輸出狀況） (A) 1 (B) 0(C) Q（n-1） (
5 差動放大器（Differential Amplifier）具有下列何種性質？(A)高共模放大率（Common-Mode Gain）(B)低差模放大率（Differential Gain）(C)高共
8－38 如圖所示之增強（Enhancement）型金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器，已知在工作點的轉移電導（Transconductance）gm為 1.5 mS，閘源極臨界電壓（Thresh
9 一個p+n接面二極體，其p型側的雜質濃度NA，遠大於n型側的雜質濃度ND，則在下列四個選項中，那一項對p+n接面二極體的逆向飽和電流IS的影響最小？(A)接面面積 (B)溫度(C)p型區雜質濃度N