初等/五等/佐級電子學大意

11 如圖所示電路，電晶體Qn與Qp具有相同之特性，其臨限電壓Vtn＝|Vtp|＝1 V。當輸入電壓Vi＝2.5 V時，其輸出電壓Vo為：(A) 5 V(B) 4 V(C) 2.5 V(D) 1 V

2SR正反器可由下列何種邏輯閘構成？(A)兩個OR閘 (B)兩個AND閘 (C)兩個NOR閘 (D)一個OR閘和一個AND閘

3.光偵測器最主要靠何種機制產生電流？(A)光激發所產生的電子電洞對 (B)光激發所產生的累增崩潰效應(C)光激發所產生的基板效應 (D)光激發所產生的負電阻效應

4在轉阻（trans-resistance）放大器中，信號輸入與輸出的形式為何？(A)輸入電壓，輸出電壓 (B)輸入電流，輸出電流(C)輸入電壓，輸出電流 (D)輸入電流，輸出電壓

5右圖所示電路為共射極組態小信號電晶體放大電路，其中 RB= 500kΩ，RC= 4kΩ，β = 50 ，在溫室下其電晶體交流輸入之近似等效阻抗值 約為 Zi多少（忽略電容之阻抗）？  (A)1 .1

14 共射極放大器的低頻響應，主要受下列何種電容影響？(A)米勒（Miller）電容 (B)雜散電容 (C)射極旁路電容 (D)電晶體內部電容

15 有一正反器只有一個輸入端，若加入輸入訊號後，其功能為在一個時鐘脈衝後會將此輸入訊號傳送至輸出，則此正反器為：(A) D 型正反器 (B) T 型正反器 (C) SR 正反器 (D) JK 正反器

16 在快閃記憶體的記憶胞結構中，浮動閘的功用為何？ (A)防止離子佈植中的離子穿入矽基板(B)加強所有閘極的強度(C)儲存資料 (D)使閘極浮動

8 要獲致高電流增益（Current Gain）之雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor），則下列何者為正確？(A)基極（base）很薄且為輕度摻雜（Lightly

9 關於雙極性接面電晶體（BJT）飽和時的敘述何者正確？(A)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓(B)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為逆向偏壓

5 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。其中Cm為Q3、Q4的寄生電容。設Q3的跨導（Transconductance）為gm3。則Cm對此

10 如下左圖所示之放大器電路，其交流等效電路如右圖所示，其中Ri為： (A) R1+ R2 (B) (C) (D)以上皆非

12 NAND Flash 記憶體其特性及應用，何者錯誤？(A)讀取速度比 NOR Flash 快 (B)可儲存大量資料(C)數位相機 (D) MP3

13 如圖所示之MOS電路，Q1、Q2及Q5為增強型P通道MOSFET，Q3、Q4及Q6為增強型N通道MOSFET，則輸出Y為：

17 如圖所示電路是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路，假設電晶體的VEB = 0.7V、β = 50，則A點最接近的電壓值為 ：(A)-3V(B)-7V(C) 3V(D)-1V

6 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V1＝1 V、V2＝2 V、V3＝4 V、及V4＝1 V，試求其輸出電壓Vo應為多少？ (A) -4 V(B)-15 V(C) 4 V(D) 15 V

6對於共射極（common emitter）放大器小信號等效電路之敘述，下列何者正確？(A)輸入端為基極（base），輸出端為集極（collector），而射極（emitter）接地(B)輸入端為集極

7右圖電路具有何種濾波效果？ (A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)全通濾波器(D)帶通濾波器

18 應用於運算放大器的輸入端電路，通常是屬於下列何者？(A)達令頓（Darlington）電路 (B) AB 類放大器(C) A 類放大器 (D)差動放大器（Differential amplifi

19 某兩級串接放大器的電流增益均為 10，則此系統電流增益為多少分貝（dB）？(A)20 (C) 40 (D) 50

20 如圖所示之電路，其小信號之輸入電阻Ri為： (A) 0(B)rπ(C)re(D)rπ(1+gmRE)

7 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load），輸入電壓為V1－V2。其中I＝1 mA，並且電晶體都具有相同的參數，β＝100。此電路有一系統性偏移

8下列有關巴克豪森準則（Barkhausen Criterion）之敘述，何者錯誤？(A)在振盪頻率下，迴路增益大小為1(B)在振盪頻率下，迴路增益之相位差為(C)迴路增益大於1，則振盪器輸出之振幅受

9放大器的頻寬是指增益保持在距中帶值多少分貝（dB）之內的頻率範圍？(A)10 (B)6 (C)3 (D)2

10有關石英體振盪器之敘述，下列何者錯誤？(A)其振盪之頻率，穩定且精準(B)利用壓電效應原理，產生震盪功能(C)其振盪之自然頻率與晶體之厚度成反比(D)製作成本貴，不常被使用

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