初等/五等/佐級電子學大意

31 如圖電路中若齊納二極體的 VZ＝10 V，電源 V＝20 V，R＝2 kΩ，RL＝5 kΩ，則流過齊納二極體之電流 IZ大約有多大？ (A)0(B)2 mA(C)3 mA(D)5 mA

32 具有相位落後特性的電路，其輸出相對於輸入而言有下列何項特性？(A)電壓放大(B)電流放大(C)時間延遲(D)時間超前

33 如圖之差動對電路，電晶體之 β＝100，ro→∞，RC＝4 kΩ，I＝2 mA，VCC＝-VEE＝10 V，取VBE(on)＝0.7 V，VCE(sat)＝0.3 V，VT＝25 mV，當 v

34 圖示電路，若電晶體 Q1、Q2、Q3之特性完全相同，則 IO / IREF與 β 之關係約為： (A) 與β無關(B) (C) (D)

35 圖示摺疊式疊接（folded cascode）放大器，vI為輸入電壓，vO為輸出電壓，相較於傳統疊接（cascode）放大器，摺疊式疊接放大器的主要目的在： (A)提高輸入阻抗(B)提高電壓增益

36 一環形振盪器是由五個反相器所構成，若反相器的傳播延遲為 4 ns，其振盪頻率為何？(A)10 MHz(B)25 MHz(C)50 MHz(D)100 MHz

37 達靈頓放大器具有下列何種特性？(A)低的輸入阻抗(B)高的輸出阻抗(C)小的電流增益(D)放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態

38 某一放大器的中頻帶電壓增益為 100，若其低頻 -3dB 頻率為 1 kHz，當操作頻率為 f＝100 Hz 時，則此時電壓增益約為：(A)100(B)10(C)1(D)0

39 一 BJT 放大器操作在 IC＝1 mA 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為 200 MHz，其電容 Cπ為 24 pF，其電容 Cμ值為何？(A)8 pF(B)1

40 有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝VO (s) / VI (s)，其中 s＝jω＝j2πf： 試估計此放大器在頻率 f＝3 kHz 時的電壓增益，下列何者正

11如圖所示之整流電路，Ｕ1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓為 0.7 V，電阻 R1=1 kΩ、R2=2 kΩ。當 v1=5 V 時，對於二極體 D1、D2 的導通情形，下列敘述何者正確？(A

12關於 P-N 接面二極體之小訊號導通電阻之敘述，下列何者錯誤？(A)導通電流越大電阻越小(B)若接面濃度固定，P-N 接面面積越大電阻越小(C)若電流固定，溫度越高電阻越大(D)導通電阻與逆向飽和

13如圖所示之電路，二極體為理想。va = 100sinωt V，vb = 100sin(ωt-180°) V，求其平均輸出電壓 Vo 爲何？ (A)22.51 V(B)47.74 V(C)63.66

14圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號 vi 的峰值為Ｖm，請問在幾週期後輸出電壓 vo 的峰值可達 2Ｖm？（假設初始狀態各電容電壓降均為零）(A)四分之一週期(B)二分之一週期(C)四分之三週期(D

15下圖電路是何種電路？(A)積分器(B)峰值檢波器(C)對數放大器(D)指數放大器

16分析下列之電路，若 D1 與 D2 之面積皆相同，若 vi 與 vo 為交流小訊號，C1 與 C2 之電容值為無限大， 則 vo / vi =？ (A)1/10(B)1/5(C)5(D)10

17如圖所示之電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 11 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？(A)0.25 V(B)2.25 V(C)4.25 V(

18雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸入阻抗最大？(A)共基極組態(B)共射極組態(C)共集極組態(D)基-射極組態

19如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的電壓增益為何？(A)-gmRD(B)-gm(RD // ro)(C)-ro / RD(

20關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？(A)爾利效應（Early Effect）爲基極有效寬度調變所造成(B)爾利效應（Early Effect）越大，則相同之集極電流條件下，輸出阻抗越小(C

21如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的輸出電阻 Ro 為何？ (A)Rs(B)Rs/(1+gmRs)(C) 0(D)∞

22下圖電路爲一個音頻放大器，若欲設計此電路，使得其低 3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）爲15 Hz，則電路中 C1 應使用多大之電容？ (A)0.22 µ F(B)0.47

23如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，λ= 0，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G

24如圖所示 MOSFET 電路，電晶體 M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) =

25圖示電路，若 VCC = +12 V，且電晶體之 β >>1，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電壓VB 之最大値約爲若干伏特？ (A)1(B)2(C)3(D)4

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