6 當一虛擬（pseudo）NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時，其中的 NMOS 和 PMOS 的操作區域分別為何？(A)三極體區、三極體區(B)三極體區、飽和區(C)飽和區、三極體區(D)截止區、
13 圖示整流電路，若輸入弦波 vI與電阻 R 皆固定，今若電容 C 變大，下列敘述何者正確？(A)輸出電壓 vO的漣波（ripple）變大(B)二極體導通時間變長(C)二極體最大導通峰值電流變大(D
19 雙極性接面電晶體（BJT）中，那種電路組態其電壓增益（Av）大於 1 且電流增益（Ai）近似於 1？(A)共基極（common base）組態(B)射極隨耦（Emitter Follower）組
23 如圖為一共汲極（common drain）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導（transconductance）參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？(A)g
24 試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, VGS－Vt）Vov 及其臨界電壓（Threshold Voltage）Vtn，與 MOSFET 各極間電壓的
25 如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之 Vt＝0.5 V，VDD＝5 V。當 VI＝1.5 V 時，MOSFET 工作於飽和（saturatio
27 如下圖電路，其 RS＝1 kΩ、CC＝0.2 μF、rπ＝1.2 kΩ、gm＝50 mA/V、RL＝10 kΩ 和 CL＝2 nF。則此電路之頻寬約為：(A)7000 Hz(B)7300 Hz(
28 有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當 gm增加時，利用米勒效應（Miller effect）估計等效輸入電容 Cin及等效輸出電容 Cout的變化趨勢為何？(A)Cin變大、Cout