初等/五等/佐級電子學大意

6 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？(A)PMOS 主要靠電洞導電(B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值(C)一般 NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電

7 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD-vGS關係如圖所示，iD是流入汲極之電流，則此 FET為：(A)增強型 NMOS(B)增強型 PMOS(C)空乏型 NMO

8 雙極性電晶體電路中，若電晶體做為開關時，當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段？(A)截止區 (B)線性區 (C)崩潰區 (D)飽和區

9 一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和 r=90Ω，求其品質因數（Q-factor）的近似值：(A)50000 (B)60000 (C)70000 (

10 在一般矽半導體中，電子的移動率（mobility）μn與電洞的移動率 μp，何者較大？(A)μn＞μp (B)μn＜μp(C)兩者約略相等 (D)視半導體為 n 型或 p 型而定

11 下圖為理想二極體的截波電路，當輸入電壓大於 5V 時，其輸出電壓為何？(A)(2·Vi –5)/3(B)(3·Vi –5)/4(C)(2·Vi +5)/3(D)(3·Vi +5)/4

12 如圖電路，設二極體導通時之 VD = 0.7 V 之定值。此電路之輸出電壓 VO之值約為何？(A)0.7 V(B)1.7 V(C)2.3 V +5V(D)4.3 V

13 圖示理想運算放大器電路中，R1 = 1 kΩ及 R2 = 2 kΩ，且二極體導通的電壓降為 0.7 V。若輸入電壓vI = 1 V，則電壓 vA 為若干？(A) -2 V(B)-0.7 V(C)

14 圖中為一半波整流電路，當輸入為頻率 60 Hz、峰值 120 V 的電壓，請問其漣波電壓約為多少？(A)0.1 V(B)0.2 V(C)1 V(D)2 V

15 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 8：1，輸入電壓 vi 為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，求二極體之峰值反向電壓為何？(A) 1

16 如圖所示之理想運算放大器電路，稽納（Zener）二極體操作在崩潰（breakdown）區，求 i 為何？(A) 1 mA(B)2 mA(C)3 mA(D)4 mA

17 當一矽二極體導通時，跨於二極體兩端的電壓 VD約有多大？(A) 0 V (B)0.025 V (C)0.7 V (D)1.4 V

18 圖示理想二極體電路中，若輸入 vI為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO的波形？  (A)  (B)  (C)  (D)

19 圖中電晶體的β=240，VBE = 0.7 V 及 VT = 25 mV，其電壓增益（Vo / Vi）約為：(A)-700(B) +20V -500(C)-300(D)-100

20 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益   ，下列敘述何者錯誤？ VCC(A)增加 RE則增益減低(B)增加 RC則增益提高(C)

21 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種？(A)共射極 (B)射極隨藕(C)共基極 (D)具有射極電阻之共射極

22 當 BJT 操作於主動模式，其 IB、IC、IE三者之大小關係為：(A) IB＜IC＜IE (B)IB＞IC＞IE (C)IC＞IE＞IB (D)IC＜IB＜IE

23 P 通道增強型 MOSFET 導通時，閘極必須加：(A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零

24 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo / Vi=？(A)-5.25(B

25 MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路，當應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於下列何區域？(A)截止區 (B)三極管區（Triode Region）(C)飽和區 (D)崩潰區

26 有一 npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式，且 IC = 4 mA，則電晶體的輸出電阻 ro約為：(A)10 kΩ (B)20 kΩ

27 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、re、rπ及輸出電阻 ro均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin（不含 Rsig

28 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），且 vo對 vi為高通（high pass）頻率響應，下列何種方式無法降低本放大器之低頻 3dB 頻率點(ωL

29 圖示電路，若 V += +12 V、V − = -12 V、RE = 3 kΩ，且電晶體之α ≈ 1，EB 接面導通電壓為 0.7 V，EC間飽和電壓降為 0.3 V，欲電晶體在主動區（Acti

30 有一電 如下圖所示，若所有電阻 R1~R5 均相等，且所有放大器 U1 及 U2 均為理想運算放大器。若交流電 V1，其振幅為 5 V，試問節點 A 的最大電壓 VA應落在下列何範圍內？路(A)

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