36 以下關於放大器頻率響應特性的描述，何者錯誤？(A)當操作頻率小於低 -3dB 頻率時，其增益斜率為 20dB/decade(B)當操作頻率大於高 -3dB 頻率時，其增益斜率為 -20dB/de
37 有一放大器，其輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1=2pF，電壓增益為 Vo /Vi = -100V/V。若輸入端至地之等效電容為 C2，試求 C2/C1 的比值。(A)接近 0(B)接近 1(C
38 組成某運算放大器的子電路有：①電壓放大器 ②差動放大器 ③AB 類放大器，則此運算放大器自輸入端至輸出端，其子電路的組成方式依序應為：(A)①→②→③(B)①→③→②(C)②→①→③(D)②→③
2 相較於開路（open circuit）的 pn 接面，逆偏下的 pn 接面：(A)空乏區寬度減少(B)擴散電流（diffusion current）增加(C)空乏區內的位能障礙增加(D)空乏區內的
4 若P-N接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。若Vi = 5sinωt (V)，且電容之初始電壓為 0 V，假設不考慮電容內阻，下列敘述何者最正確？ (A)ω越小，Vo之峰值
5 雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（active region）操作下，其偏壓方式為：(A)B、E 間逆偏，C、B 間順偏(B)B、E 間順偏，C、B 間逆偏(C)B、E 間及 C、B 間均逆偏(
6 如圖所示放大器，若電晶體操作於順向主動區（forward active region）且忽略爾利效應（Early effect），Vi為輸入，Vo為輸出，下列敘述何者最正確？ (A)該放大器為同相
7 若一BJT之射極接面為順向偏壓，其集極端為開路致IC =0，則此電晶體工作在那一個工作模式？(A)主動模式（active mode）(B)反向主動模式（reverse active mode）(C
11 場效電晶體（FET）工作在飽和區（saturation region）的轉導（transconductance）gm定義為：(A) ,即當電壓vDS固定於VDS,電流iD對電壓vDS的變化率(B
13 如圖的共集（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式（active mode），其小訊號參數gm、re、rπ均為已知，輸出電阻ro→∞，則此放大器之輸入電阻Rin（不含RL）為：
15 如圖所示之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region），轉導值（gm）為 10 mA/V，β=40，若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求Vo / Vi=？ (A)-
16 雙極性接面電晶體（BJT）共射接線組態下，射極–地間的電阻常並聯一電容（Emitter bypass capacitor），此電容之目的為：(A)降低射極的直流電壓(B)升高射極的直流電壓(C)
17 如圖之MOS差動放大器（differential amplifier），Q1=Q2，其臨界電壓（threshold voltage）Vt=0.5 V，爾利電壓（Early voltage）VA→