11 圖示整流電路中,若輸入 Vi為弦波,有關輸出 Vo的漣波(ripple)大小,下列敘述何者正確?(A)與電容值 C 成正比(B)與電阻值 R 成正比(C)與 Vi的峰值電壓成反比(D)與 Vi的
14 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7V,且導通電阻值為 0Ω,若 Vi為 + 2V,下列敘述何者正確?(A)電阻上之電流為 3.3mA(B)Vo為 3.7V(C)Vo為-2.7V(D)電阻
21 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 1V、μnCox(W/L)= 25μA/V2,今若其源極(Source)電壓 0.5V,閘極(Gate)電壓 2.5V,汲極(Drain)電壓 2V,
22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體,其臨限電壓為 Vt,當操作於飽和區時,其汲源間之電壓 VDS最小應為:(A)VDS = VGS(B)VDS =Vt(C)VDS = VGS -Vt(D)VD
23 圖中電晶體電路集極端的直流工作點約為何?(A)IC=5.20mA,VCE=3.2V(B)IC=2.35mA,VCE=6.8V(C)IC=4.10mA,VCE=2.4V(D)IC=2.80mA,V
24 如圖示為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation-mode)之 π 型小訊號等效電路,其中電晶體的輸出電阻 ro與汲極電流 ID的關係約為:(A)ro正比於 1/ID(B)ro正比於
27 以下何者是 BJT 的單一增益頻寬(Unity-gain bandwidth)之正確描述?(A)單一增益頻寬值與(Cπ+Cμ)成正比(B)單一增益頻寬值與輸出電阻 ro有關(C)定義為當 hfe
28 若電晶體操作於主動區(Forward Active Region),電流增益 β 為定值,關於小訊號模型之敘述下列何者錯誤?(A)電流 IC越大則轉導值(gm)越小(B)Cπ>Cμ(C)電流 I
29 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓 VGS 為-2.2V,汲極電流 ID 為2mA,IDSS為 10mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-4V