12 若一BJT 放大器之驅動電晶體,是由一共射(Common-Emitter)電晶體的集極接一共基(Common-Base)電晶體的射極所構成,則此放大器為:(A)達林頓(Darlington)放大
14 某兩級串接放大器,各級電壓增益分別為 20 dB 和 40 dB。若第一級放大器輸入端加入峰值為 2 mV的訊號,在不失真情況下,第二級之輸出訊號的峰值為多少?(A)400 mV(B)800 m
20 如圖所示反相放大器(Inverting Amplifier),其中電容 C 與電阻 R3為抑制運算放大器的輸入偏移電壓(Offset Voltage,Vos)與輸入偏置電流(Input Bias
21 如圖所示為電阻 R1、R2、R3,以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入偏置電流(Input Bias Current)在輸出所產生偏移電壓(Offset Voltage
22 如圖所示,電路 U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ 、R2=2 kΩ 。當 vI =5 V 時,輸出電壓 vo 約為多少? (A) 4 V(
27 如圖示之放大器,若電晶體須維持操作於飽和區,且忽略其輸出阻抗效應,下列敘述何者錯誤? (A)增加 RG及同時減低 ID(B)增加 RS及同時減低 ID(C)減少寬長比(W/L)及同時減低 ID(
28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation-mode)之π 型小訊號等效電路,其中 gmro的乘積與汲極電流 ID的關係約為: (A)gmro正比於 1/ID(B)gmro正比於
30 圖示電路,若 RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ,電晶體的輸出阻抗 ro = 10 kΩ ,電壓增益 Av = vo/vi = - 4,則 Rin約為若干? (A) ∞(B)10 M