29 一個工作在主動模式(active mode)之 BJT,其爾利電壓(Early Voltage)為 25 V,IC = 2.5 mA,則其輸出電阻 rO之值約為:(A) 0.1 kΩ (B) 1
32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10,MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V,忽略元件
33 如圖所示之電路,假設電晶體操作在飽和區,忽略電晶體輸出電阻,ID = 1 mA,CGS = 50 fF,CGD = 10 fF,CDB = 15 fF,且 VGS-VTH = 200 mV,採用
34 差動放大器中的共模斥拒比 CMRR(Common-mode rejection ratio)愈大,則表示:(A) Ad愈小,Acm愈大 (B)該差動放大器愈差(C)愈易消除雜訊 (D)電流源輸出
35 圖中為一共射級架構的放大器電路,考慮其低頻響應,電容 CE所造成的極點頻率為何?(A) 1/CE/rπ(B) 1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1))(C) 1/ CE/re(D)
36 某 NMOS 場效電晶體電路,電晶體之 Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容 Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF,且 ID = 0.125 mA,則其單一增
37 如圖所示為達靈頓(Darlington)電路,若電晶體 Q1與 Q2之特性同為 VBE1 = VBE2 = 0.7 V,β1 = β2 = 50,又 VCC = 10 V,R1 = 100 kΩ
38 一內部補償的運算放大器其直流開路增益為 106,在 1 MHz 時交流開路增益為 60 dB,其 3 dB 頻率為何?(A) 0.1 kHz (B) 1 kHz (C) 10 kHz (D) 1
39 一 BJT 電晶體 β = 100 操作在 IC = 2 mA,其電容為 Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF,求其 3 dB 頻率 ω。(A)2 × 107rad/s (B)4 × 107r
30 下圖為交換電容積分器電路(Switched-Capacitor Integrator),已知 U1為理想運算放大器,Φ1與Φ 2為不重疊的雙相時脈(Nonoverlapping Two-Phas