34 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。已知電阻 R1= 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、R3 = 1 kΩ、R4 = 3 kΩ。當 vI1 = 3 V、vI2 = 2 V 時，試求輸出端 vO的電
33 如下圖所示之理想運算放大器振盪電路，L =1mH，C1 = C2 = 30pF，若不考慮 對回授網路之負載效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？(A) 0.6 MHz(B) 0.9 MHz(C) 1
35 試分析下列之全差動式（Fully Differential）放大器電路，若電晶體之轉導值 gm為 1 mA/V，其電壓增益值 約為何？(A)5 V/V(B) 10 V/V(C) 20 V/V(D
34 下圖振盪器電路中，若 R1=100 kΩ 、R2= 200 kΩ 、 R3 =100 kΩ 及C=1nF ，則振盪頻率約為多少？(A) 530 Hz(B) 1.5 kHz(C) 5 kHz(D)
35 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區， IC = 0.838mA， VT = 26 mV，β=100 ，Cπ = 24pF，Cμ = 3pF，忽略爾利（Early）效應以及其它
36 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容效應，假使此 BJT 之轉導（transconductance）為 70 mA/V， β =1
38 分析下列之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA/V，電晶體之 β = 50。忽略元件之輸出阻抗，試求 RO =？(A)10
37 有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中 s=jω =j2πf ： 試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？(A)高通響應（High-Pass Res
40 圖示電流源電路，已知 IREF = 40 μA，電晶體 Q1特性與 Q2完全相同：Vt = 0.5 V、μnCox(W/L) = 20 μA/V2，若電路能正常工作，則電壓 VO之最小值應為若干
40 如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值(gm) 為 1 mA / V。若忽略元件之輸出阻抗(ro) ，Vo 為Vo+ 及Vo-間之壓差， Vi
3 下列關於雜訊邊界的描述何者正確？(A)絕對雜訊邊界定義為高邏輯邊界與低邏輯邊界二者中的最大者(B)雜訊邊界愈大表示邏輯電路抗拒雜訊能力愈強(C)雜訊邊界表示輸入訊號的最大值(D)雜訊邊界會隨輸入電