2 考慮下圖理想運算放大器電路,圖中 R1 = 20 kΩ,R2 = 10 kΩ,R3 = 10 kΩ,RL = 10 kΩ,假設輸入電壓 vI = 5 V,則 i3為多少?(A)-0.25 mA(B
3 下圖理想運算放大器電路中,若輸入 vI1 = 4 + 0.125 sinωt (V)、vI2 = -4 (V)時輸出 vO = -0.5 sinωt (V),則下列敘述何者正確?(A)R1 = 1
5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 0.7 V、μnCox(W/L) = 25 μA/V2,今若其源極(Source)電壓 0.5 V,閘極(Gate)電壓 1.0 V,汲極(Drain)
7 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體(BJT),經實驗量測其基極 B 之電壓為 0 V,射極 E 的電壓為 +2 V,集極 C 電壓為 +5 V,請問此電晶體在何工作區?(A)主動區(Active
9 在一矽本質半導體中加入五價的元素,若所加雜質濃度為 2 × 1015/cm3,且矽在室溫的本質濃度為1.45 × 1010/cm3,則此半導體在室溫時的電子濃度約為:(A) 2 × 1015/cm
5 下圖的符號為何? (A)加強型(enhancement)NMOSFET (B)空乏型(depletion)NMOSFET(C)加強型(enhancement)PMOSFET (D)空乏型(depl
2 如下圖之MOS差動放大器(Differential Amplifier), Q1=Q 2 ,其臨界電壓(Threshold Voltage)t = 0.5V ,爾利電壓(Early Voltage
6 一匹配的 CMOS 反相器,kn = 800 μA/V2,輸出總電容為 200 fF,當操作電源為 5 V 時,高準位至低準位的傳播延遲時間(propagation delay)為何?(f = 1
7 某 0.25 μm 製程中,MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm,假設電子對電洞的遷移率比 μn/μp = 3,要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性,通道的寬度比 Wn/Wp
11 如圖振幅限制器(Limiter)電路,U1 為理想運算放大器,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R
6 如下圖所示之放大器,若電晶體操作於三極管區(Triode Region),下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區(Saturation Region)? VDD(A)增加 R1(B)增加 Vb(C)