23 如圖電路對於小訊號電壓增益,下列敘述何者錯誤? (A)RC過大增益可能減低(B)若電晶體操作於主動區,增加 RE則增益增加(C)若電晶體操作於飽和區,增加 RB可使電晶體進入順向主動(forwa
28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)之臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 1 V,且其汲極-源極電壓差 VDS = 4 V,閘極-源極電壓差 VGS = 2V
29 分析下圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 ro = 10 kΩ,Rb = 10 kΩ,RD = 10 kΩ,RS = 1 kΩ。試求輸出
24 分析下圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 ro =10 kΩ,Rb =10 kΩ,RD =10 kΩ,RS =1 kΩ,試求 Vo /V
25 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS =1.5 V 時,其 I
26 關於理想轉導放大器(Transconductance Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?(A)放大器本身之輸入阻抗為 0 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大(C)放大器本身之輸出阻抗
31 下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge Oscillator)的描述,那一項正確?(A)正回授電路是 LC 電路 (B)負回授電路是電阻組成之分壓電路(C)正回授電路
29 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益,下列敘述何者無法降低放大器之低頻 3 dB 頻率ωL? (A)增加 RS(B)增加 RB(
32 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應與所有其他電容,假使此電路之功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45,VT = 26 mV,則其 - 3 dB 頻寬為
36 如圖所示放大器,外接電容為 CC1、CC2和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs和 Cgd。當電壓增益的絕對值 越大時,有關此放大器的頻率響應頻寬 BW,下列敘述何者正確? (A) 越大,