17 如圖所示之二極體電路,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電壓 vs (t) = 12 sin (120 πt)V、R = 10 kΩ、C = 47 μF。試求電容 C 的充電頻率為
11 在一全波整流電路中,使用中心抽頭變壓器,其輸出電壓振幅為 VS,二極體正向壓降為 VD,請問二極體的峰值反向電壓為何?(A)VS–VD(B)VS– 2VD(C)2VS–VD(D)2VS– 2VD
12 有關於光檢測用之光二極體,下列描述何者錯誤?(A)光二極體工作於順向偏壓區(B)不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應(C)不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比(D)光二極體之
18 如圖所示之電路,若 BJT 電晶體操作在順向主動區,忽略爾利效應(Early Effect)與所有其他電容,假使此電路之功率消耗為 2 mW 且-3 dB 頻寬為 1 GHz,熱電壓(Therm
14 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V,已知電壓 vS (t)=12 sin(120πt)V、C =47μF、VDC = 3 V、R 為無窮大,在穩態時,電容 C 兩端的
19 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗,下列何種調整方式無法增加放大器之頻寬? (A)減低 CL (B)增加 Vb(
20 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓 VGS為-2.8 V,汲極電流 ID為 4.5 mA,IDSS為 16 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP
18 如圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數 gm、re、rπ及輸出電阻 ro均為已知,各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻 Rout(不含 RL)
21 一維持工作於飽和模式(Saturation Mode)的 MOSFET,若其汲極電流 ID 增為 4 倍,則其轉導(Transconductance)參數 gm的值會如何變化?(A)增為 4 倍
22 若雙極性接面電晶體(BJT)工作在主動區(Active Region)的電流 IC = 2 mA,電流放大率 β = 100,則其轉導(Transconductance)gm約為若干 mA/V?
24 如圖所示放大器,若 BJT 電晶體操作於順向主動區(Forward Active Region)且忽略爾利效應(Early Effect),Vi為輸入,Vo為輸出,下列敘述何者錯誤? (A)該放
19 圖示放大器電路若電流源 I 為 1 mA、RB = 100 kΩ,RC = RL = 2 kΩ,Re = 100 Ω,電晶體電流放大率 β = 100,則電壓增益約為若干? (A)-100(B)
25 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 0.5 V;又 VDD = 5 V,RD = 2 kΩ,I = 1.5 mA。若要維持電晶體工作於