6 如圖所示之MOS電路,Q1 、Q2為P通道增強型MOSFET,Q3、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘? (A)OR 閘 A(B)NOR 閘 Q1(C)AND 閘(D)NAND 閘
7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器(Flip-Flop),下列何者為其正確的反應?(A) R = 0 , , S = 0 Q = 0 R(B) R =1, , S = 0 Q = 0(C
8 圖中電路,假設 VIN = 0 , VG=VDD,VDD= V5,C = Ff100 。 當 VO =VDD, ID =850μA。 當VO =VDD/2,ID =150μA 。則此電路的VO 從
13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是:(A)NPN 電晶體,基極寬度要大 (B)NPN 電晶體,基極寬度要小(C)PNP 電晶體,基極寬度要大 (D)NPN 電晶體,基極寬度
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成?(A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成(B)基板表面的少數載體因電場作用形成(C)以擴散技術在基板表面形成(D)以離子植入在基板表
18 下列雪崩型感光二極體(APD)的特性及應用敘述,那一個錯誤?(A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增,讓電流增益變大(C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D
23 射極隨耦器(Emitter Follower)常作阻抗匹配之用,有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述,下列何者正確?(A)高輸入阻抗,高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗,低輸出阻抗(C)低輸入阻抗,高輸出阻
24 在高頻的共射極電晶體電路中,Cbe 及Cbc 分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容,下列敘述何者正確?(A)Cbc 為回饋電容,米勒效應(Miller effect)使輸入電容加大(
25 圖 a 為無負載的放大器電路,圖 b 為有負載電阻RL 的放大器電路,圖 c 為有電源電阻RS 及負載電阻RL 的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為 及 。三個圖中的電壓增益