23 如圖所示為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load),其中I=200 µA,並且電晶體都具有相同的參數,β=100,ro=100 kΩ。此電路差模
24 某電壓放大器以圖示電路模型表示,其中Ri=4 kΩ、Ro=1 kΩ,若將二個相同的此種電壓放大器串接,問串接後電路的總電壓增益約為若干? (A) 4000(B) 5000(C) 8000 (D)
25 如圖所示之空乏(Depletion)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓VGS為 0.33 V,汲極電流ID為 7.6 mA,IDSS
37 PN接面二極體,P型的雜質濃度為NA,N型的雜質濃度為ND,接面處P型的空乏區寬度為XP,N型的空乏區寬度為XN,若NA>ND,則下列敘述何者為正確?(A) XP>XN (B)XP<XN (C)
34 今有一NMOS邏輯反相器(Inverter)的電路如下左圖所示,已知電晶體Q1、Q2特性均相同。此電路之電壓轉移特性(Voltage transfer characteristic)如下右圖所示
39 圖中電路,假設VIN=VDD,VG=VDD,VDD=4V,C=100fF。電晶體的臨限電壓(Threshold Voltage,VTH)為 1V,本體效應(Body Effect)可以忽略。製程
35 有一放大器應用電路,設放大器U1 為理想放大器,且飽和電壓(Saturation voltage)為+10 V與-10 V,亦即輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間。設電阻R1、R2 均相等
31 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓?(A)光二極體(Photo Diode) (B)齊納二極體(Zener Diode)(C)變容二極體(Varactor) (D)蕭基二極體(Schottky
39 今有一使用Zener二極體電路如下左圖所示,假設二極體元件的電流-電壓(I-V)特性曲線如下右圖所示:順向導通電壓為VD0=0.7 V,逆向崩潰電壓為VZ0=5 V,不考慮導通的串聯電阻效應。試